韩国《每日经济新闻》引述业界消息，三星电子( 005930KS ) 计划在美国德州泰勒市兴建第二座晶圆代工厂，为AMD( AMD-US ) 、辉达( NVDA-US ) 生产高带宽内存（HBM）所需的基底逻辑芯片。

新厂预计采用 2 纳米制程，规划产能已获客户预订，订单大部分来自 AMD。三星官方尚未证实此消息。

报导指出，泰勒二厂预计于 11 月正式动工，占地约 270 万平方英尺，约为泰勒首座晶圆厂的 1.5 倍。

依目前规划，预计 2029 年 2 月开始移入并安装设备，2030 年正式量产。除了 AMD，辉达也已安排相关产能。

HBM 由内存芯片与基底逻辑芯片（base die）组成，后者正是泰勒二厂此次规划代工的内核产品。基底芯片负责信号传递与互连控制，是 HBM 堆栈封装不可或缺的一环，但与三星传统 DRAM 内存晶圆分属不同业务。

因此，泰勒二厂将归属晶圆代工业务，而非内存生产线，主要聚焦逻辑制程，承接 HBM 配套基底芯片的制造需求。

三星泰勒一厂先前已与特斯拉敲定代工合约，主攻先进逻辑芯片；二厂则将瞄准 AI 运算供应链，以 HBM 基底芯片为重点，争取主要 AI 芯片业者订单。

随着 AI 运算需求持续扩张，HBM 供应仍然吃紧，除了内存晶圆，配套的基底芯片与封装产能也成为供应链竞相争取的资源。

AMD 与辉达身为 HBM 主要采购商，提前预订上游代工产能，也反映业者通过长期合约确保供应的趋势。