韓國《每日經濟新聞》引述業界消息，三星電子( 005930KS ) 計劃在美國德州泰勒市興建第二座晶圓代工廠，為AMD( AMD-US ) 、輝達( NVDA-US ) 生產高頻寬記憶體（HBM）所需的基底邏輯晶片。

新廠預計採用 2 奈米製程，規劃產能已獲客戶預訂，訂單大部分來自 AMD。三星官方尚未證實此消息。

報導指出，泰勒二廠預計於 11 月正式動工，占地約 270 萬平方英尺，約為泰勒首座晶圓廠的 1.5 倍。

依目前規劃，預計 2029 年 2 月開始移入並安裝設備，2030 年正式量產。除了 AMD，輝達也已安排相關產能。

HBM 由記憶體晶片與基底邏輯晶片（base die）組成，後者正是泰勒二廠此次規劃代工的核心產品。基底晶片負責訊號傳遞與互連控制，是 HBM 堆疊封裝不可或缺的一環，但與三星傳統 DRAM 記憶體晶圓分屬不同業務。

因此，泰勒二廠將歸屬晶圓代工業務，而非記憶體生產線，主要聚焦邏輯製程，承接 HBM 配套基底晶片的製造需求。

三星泰勒一廠先前已與特斯拉敲定代工合約，主攻先進邏輯晶片；二廠則將瞄準 AI 運算供應鏈，以 HBM 基底晶片為重點，爭取主要 AI 晶片業者訂單。

隨著 AI 運算需求持續擴張，HBM 供應仍然吃緊，除了記憶體晶圓，配套的基底晶片與封裝產能也成為供應鏈競相爭取的資源。

AMD 與輝達身為 HBM 主要採購商，提前預訂上游代工產能，也反映業者透過長期合約確保供應的趨勢。