中央消息

（中央社首尔3日综合外电报导）韩国媒体「每日经济新闻」今天引述产业消息报导，三星电子位于美国德州泰勒市（Taylor）的第二座晶圆厂，将为超微（AMD）与辉达（Nvidia）的高带宽内存（HBM）芯片生产基础晶粒（base die）。

根据「每日经济新闻」（Maeil Business Newspaper）报导，三星电子（Samsung Electronics）德州二厂预定本月正式动工，目前产能已全数获得订单，其中大部分订单来自超微。

报导指出，二厂将采先进的2纳米制程技术，厂区面积约25.1万平方公尺，约为三星与特斯拉（Tesla）签有合约的一厂面积的1.5倍。

报导表示，二厂预计自2029年2月起安装设备，并于2030年开始量产。

三星电子对此婉拒置评。（编译： 刘淑琴 ）1151103

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