中央訊息

（中央社首爾3日綜合外電報導）韓國媒體「每日經濟新聞」今天引述產業消息報導，三星電子位於美國德州泰勒市（Taylor）的第二座晶圓廠，將為超微（AMD）與輝達（Nvidia）的高頻寬記憶體（HBM）晶片生產基礎晶粒（base die）。

根據「每日經濟新聞」（Maeil Business Newspaper）報導，三星電子（Samsung Electronics）德州二廠預定本月正式動工，目前產能已全數獲得訂單，其中大部分訂單來自超微。

報導指出，二廠將採先進的2奈米製程技術，廠區面積約25.1萬平方公尺，約為三星與特斯拉（Tesla）簽有合約的一廠面積的1.5倍。

報導表示，二廠預計自2029年2月起安裝設備，並於2030年開始量產。

三星電子對此婉拒置評。（編譯： 劉淑琴 ）1151103

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