南韩《每日经济新闻》周二(3日)引述业界消息指出，三星电子(005930-KS)位于美国德州泰勒市的第二座晶圆代工厂预定11月初正式动工，产能已全数订满。新厂将采用2纳米制程，为超微(AMD-US)与辉达(NVDA-US)生产高带宽内存(HBM)所需的基础芯片，其中多数产量将供应超微。三星对客户订单不予置评。

泰勒一厂已取得特斯拉(TSLA-US)的芯片代工合约，二厂则以AI加速器所需的内存零组件为主。据报导，二厂面积约270万平方英尺(约25万平方公尺)，约为一厂的1.5倍。目前厂区已展开整地等前置作业，预计自2029年2月起安装生产设备，目标2030年量产。

三星规划在德州生产的基础芯片，位于多层堆栈的动态随机访问内存(DRAM)底部，负责在内存与图形处理器(GPU)之间传输数据，其设计影响HBM的速度与耗电量。三星目前量产的HBM4采用4纳米基础芯片，未来则计划将泰勒二厂生产的2纳米基础芯片，与南韩制造的DRAM芯片堆栈组合，再以完整的HBM产品交付客户。

超微占泰勒二厂目前订单的大多数，至于三星能否进一步扩大辉达订单，仍取决于下一代产品的代工安排。《每日经济新闻》指出，辉达希望将旗下客制化内存NVHBM的基础芯片集中委由台积电(2330-TW)(TSM-US)生产，以缩小不同供应商之间的性能差异，并简化验证进程。据报三星正评估自家制程能否生产这类芯片，以便在台积电产能不足时承接订单。