南韓《每日經濟新聞》周二(3日)引述業界消息指出，三星電子(005930-KS)位於美國德州泰勒市的第二座晶圓代工廠預定11月初正式動工，產能已全數訂滿。新廠將採用2奈米製程，為超微(AMD-US)與輝達(NVDA-US)生產高頻寬記憶體(HBM)所需的基礎晶片，其中多數產量將供應超微。三星對客戶訂單不予置評。

泰勒一廠已取得特斯拉(TSLA-US)的晶片代工合約，二廠則以AI加速器所需的記憶體零組件為主。據報導，二廠面積約270萬平方英尺(約25萬平方公尺)，約為一廠的1.5倍。目前廠區已展開整地等前置作業，預計自2029年2月起安裝生產設備，目標2030年量產。

三星規劃在德州生產的基礎晶片，位於多層堆疊的動態隨機存取記憶體(DRAM)底部，負責在記憶體與圖形處理器(GPU)之間傳輸資料，其設計影響HBM的速度與耗電量。三星目前量產的HBM4採用4奈米基礎晶片，未來則計劃將泰勒二廠生產的2奈米基礎晶片，與南韓製造的DRAM晶片堆疊組合，再以完整的HBM產品交付客戶。

超微占泰勒二廠目前訂單的大多數，至於三星能否進一步擴大輝達訂單，仍取決於下一代產品的代工安排。《每日經濟新聞》指出，輝達希望將旗下客製化記憶體NVHBM的基礎晶片集中委由台積電(2330-TW)(TSM-US)生產，以縮小不同供應商之間的效能差異，並簡化驗證程序。據報三星正評估自家製程能否生產這類晶片，以便在台積電產能不足時承接訂單。