中央消息

（中央社记者 张建中 台北3日电）内存厂华邦电董事会今天通过新台币731.63亿元资本支出，将用于扩建高雄厂厂房及购置生产设备，总经理陈沛铭表示，高雄厂模块B将于12月29日动工，希望2年内可以开始装机。

华邦电今天召开法人说明会，陈沛铭指出，高雄厂模块A预计今年底月产能扩增到2.4万至2.5万片规模，2027年及2028年将维持月产能2.4万至2.5万片。

陈沛铭说，董事会今天核准731.63亿元资本支出，将用于高雄厂模块B建厂及购置生产设备，预计12月29日举行简单动工仪式，希望2年内可以开始装机，2029年小量产，2030年较大量贡献产能。

陈沛铭表示，人工智能（AI）市场需求依然强劲，不过，第4季消费性市场恐面临修正。AI将成为人类生活不可或缺的一部分，预期AI不会泡沫，只是可能会加速洗牌，部分厂商的投资会泡沫。

陈沛铭指出，华邦电目前居全球编码型闪存（NOR Flash）龙头，单层式保存型闪存（SLC NAND Flash）为世界第3，随着大厂陆续淡出市场，华邦电可望扩展市场，将朝向全球SLC NAND Flash龙头目标迈进。

至于客制化内存方面，陈沛铭说，华邦电将以DDR4及LPDDR4产品为发展重心。

至于产品价格走势，陈沛铭表示，目前动态随机访问内存（DRAM）价格已高，不过，不至于会下跌。Flash产品价格仍有往上空间，尤其是高容量。

受惠客制化内存与Flash产品价格上涨，华邦电第3季营收攀高至新台币823.31亿元，季增37.6%，毛利率70.6%，较第2季上扬4个百分点，归属母公司净利354.22亿元，季增45.7%，每股纯益7.58元，累计前3季每股纯益15.32元。（编辑：林家娴）1151103

选择与事实站在一起，您的每一份赞助，都是守护新闻自由的力量

下载中央社「一手新闻」APP，即时掌握最新消息

本网站之文本、图片及影音，非经授权，不得转载、公开播送或公开传输及利用。