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（中央社記者 張建中 台北3日電）記憶體廠華邦電董事會今天通過新台幣731.63億元資本支出，將用於擴建高雄廠廠房及購置生產設備，總經理陳沛銘表示，高雄廠模組B將於12月29日動工，希望2年內可以開始裝機。

華邦電今天召開法人說明會，陳沛銘指出，高雄廠模組A預計今年底月產能擴增到2.4萬至2.5萬片規模，2027年及2028年將維持月產能2.4萬至2.5萬片。

陳沛銘說，董事會今天核准731.63億元資本支出，將用於高雄廠模組B建廠及購置生產設備，預計12月29日舉行簡單動工儀式，希望2年內可以開始裝機，2029年小量產，2030年較大量貢獻產能。

陳沛銘表示，人工智慧（AI）市場需求依然強勁，不過，第4季消費性市場恐面臨修正。AI將成為人類生活不可或缺的一部分，預期AI不會泡沫，只是可能會加速洗牌，部分廠商的投資會泡沫。

陳沛銘指出，華邦電目前居全球編碼型快閃記憶體（NOR Flash）龍頭，單層式儲存型快閃記憶體（SLC NAND Flash）為世界第3，隨著大廠陸續淡出市場，華邦電可望擴展市場，將朝向全球SLC NAND Flash龍頭目標邁進。

至於客製化記憶體方面，陳沛銘說，華邦電將以DDR4及LPDDR4產品為發展重心。

至於產品價格走勢，陳沛銘表示，目前動態隨機存取記憶體（DRAM）價格已高，不過，不至於會下跌。Flash產品價格仍有往上空間，尤其是高容量。

受惠客製化記憶體與Flash產品價格上漲，華邦電第3季營收攀高至新台幣823.31億元，季增37.6%，毛利率70.6%，較第2季上揚4個百分點，歸屬母公司淨利354.22億元，季增45.7%，每股純益7.58元，累計前3季每股純益15.32元。（編輯：林家嫻）1151103

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