晶圆代工厂联电(2303-TW)今(28)日召开在线法说会，并宣布董事会已核准追加约32亿美元资本支出，加速新加坡与台南厂区扩充工程，联电定调在硅光子与先进封装带动下，未来三年内AI相关营收将从目前约3亿美元大幅拉升，占全公司营收比重冲上25%。

联电在硅光子布局跨过8吋规格直攻12吋光学共封装平台，凭借优于同业的低传输耗损优势，成功打入多家云端服务大厂的1.6T光模块供应链。公司携手合作伙伴开发的薄膜铌酸锂调制器技术亦领先业界，目前规划1.8万片硅光子晶圆及2万片薄膜铌酸锂产能，预计2028年底逐步放量并于2030年达满载规模。

先进封装方面，深沟槽电容本季已在智能型手机端量产，服务器与AI应用的基板嵌入式技术也已完成设计定案。这项突破同步跨足客制化内存堆栈领域，显示联电正由传统晶圆代工延伸至高门槛的高速运算关键零组件。

针对市场担忧扩产可能带来供过于求的风险，首席执行官王石说明，目前所有扩充计划均获客户长期合约背书，产能瓶颈在于扩产步调仍跟不上客户的强烈需求。他并指出，新特殊制程产品毛利率显著高于公司平均，将为中长期获利体质注入强劲成长动能。