中国内存大厂长鑫科技( 688825-CN ) 传出拒绝苹果( AAPL-US ) 及台湾服务器制造商的内存订单，尽管海外客户愿意通过长期合约争取供货，长鑫仍未因此让步。半导体业界人士指出，长鑫的策略并非单纯受限于产能，而是为了优先满足中国本土客户需求，力拚实现中国内存产业自主。

根据《Wccftech》报导，相较于非内存供应商为争取苹果订单，不惜提供优惠价格并签订长期合约，长鑫在DRAM业务上却不愿做出任何让步。

据报导，苹果曾向长鑫询价，希望取得比美光科技( MU-US ) 、三星电子( 005930KS ) 及SK海力士( 000660KS ) 更便宜的内存供应，但长鑫并未接受。

此外，台湾一家服务器制造商传也曾向长鑫询问DDR5芯片供货，同样遭到拒绝。该公司副总裁当时并不确定，长鑫的决定是否受到中国政府施压、政策限制或其他因素影响。

报导分析指出，长鑫拒绝海外订单的关键，可能在于优先满足中国本土市场需求。

长鑫已开始向小米( 01810-HK ) 等本土合作伙伴供应LPDDR6 DRAM，供其自研的XRING 03使用，展现出足以与三星、SK海力士及美光正面竞争的实力，而目前唯一的瓶颈在于满足市场需求。

半导体产业观察人士、前Microdrive Technology总经理Wu Chin-jung指出，长鑫之所以采取如此强硬的立场，源于一项宏大的计划，也就是让中国实现DRAM自主供应。由于这项计划要求优先满足中国客户的需求，长鑫不得不拒绝苹果等国际巨头的询价。

与此同时，亚太研究机构Yole的黄茂源则认为，长鑫光是满足中国国内客户的需求，就已面临艰巨挑战，相关目标甚至可能需要十年才能实现。

不过，一但能达成，中国企业如华为、小米未来便有机会降低对三星及SK海力士内存产品的依赖。

据估计，长鑫将在一年内把DRAM月产能增加10万片晶圆，但其仍面临高带宽内存（HBM）研发这一最大障碍。

长鑫不仅在HBM领域起步较晚，美国出口管制也使其无法取得EUV等先进设备。这类设备有助于维持制程良率，并降低先进封装面临的挑战。

事实上，据报导，长鑫因良率极差，已将HBM供应量削减25%。

分析指出，目前，长鑫的HBM技术据称仍落后三星、SK海力士及美光两个世代，追赶难度不低。在此情况下，长鑫现阶段仍须优先解决本土DRAM供应问题，再逐步缩小与国际竞争对手的技术差距。