中國記憶體大廠長鑫科技( 688825-CN ) 傳出拒絕蘋果( AAPL-US ) 及台灣伺服器製造商的記憶體訂單，儘管海外客戶願意透過長期合約爭取供貨，長鑫仍未因此讓步。半導體業界人士指出，長鑫的策略並非單純受限於產能，而是為了優先滿足中國本土客戶需求，力拚實現中國記憶體產業自主。

根據《Wccftech》報導，相較於非記憶體供應商為爭取蘋果訂單，不惜提供優惠價格並簽訂長期合約，長鑫在DRAM業務上卻不願做出任何讓步。

據報導，蘋果曾向長鑫詢價，希望取得比美光科技( MU-US ) 、三星電子( 005930KS ) 及SK海力士( 000660KS ) 更便宜的記憶體供應，但長鑫並未接受。

此外，台灣一家伺服器製造商傳也曾向長鑫詢問DDR5晶片供貨，同樣遭到拒絕。該公司副總裁當時並不確定，長鑫的決定是否受到中國政府施壓、政策限制或其他因素影響。

報導分析指出，長鑫拒絕海外訂單的關鍵，可能在於優先滿足中國本土市場需求。

長鑫已開始向小米( 01810-HK ) 等本土合作夥伴供應LPDDR6 DRAM，供其自研的XRING 03使用，展現出足以與三星、SK海力士及美光正面競爭的實力，而目前唯一的瓶頸在於滿足市場需求。

半導體產業觀察人士、前Microdrive Technology總經理Wu Chin-jung指出，長鑫之所以採取如此強硬的立場，源於一項宏大的計畫，也就是讓中國實現DRAM自主供應。由於這項計畫要求優先滿足中國客戶的需求，長鑫不得不拒絕蘋果等國際巨頭的詢價。

與此同時，亞太研究機構Yole的黃茂源則認為，長鑫光是滿足中國國內客戶的需求，就已面臨艱鉅挑戰，相關目標甚至可能需要十年才能實現。

不過，一但能達成，中國企業如華為、小米未來便有機會降低對三星及SK海力士記憶體產品的依賴。

據估計，長鑫將在一年內把DRAM月產能增加10萬片晶圓，但其仍面臨高頻寬記憶體（HBM）研發這一最大障礙。

長鑫不僅在HBM領域起步較晚，美國出口管制也使其無法取得EUV等先進設備。這類設備有助於維持製程良率，並降低先進封裝面臨的挑戰。

事實上，據報導，長鑫因良率極差，已將HBM供應量削減25%。

分析指出，目前，長鑫的HBM技術據稱仍落後三星、SK海力士及美光兩個世代，追趕難度不低。在此情況下，長鑫現階段仍須優先解決本土DRAM供應問題，再逐步縮小與國際競爭對手的技術差距。