三星电子持续扩大美国先进制程布局，据《ZDNet Korea》周五 (23 日) 引述业界消息报导，三星已为德州泰勒第一厂追加 设备订单， 可支应每月约 6,000 片的 2 纳米晶圆产能。连同先前设备投资及早期试产线，该厂预计于 2027 年下半年具备每月 2 万片产能，达到设计上限。

报导指出，三星自 2025 年底起，便已投入可支应月产 1 万片晶圆的设备投资。本次追加采购则是为了填满第一厂剩余的闲置空间，待相关设备投资完成，该厂内核设备布局也将进入收尾阶段。

一名半导体业界人士表示，三星近期已开始下单，准备自今年底起追加导入设备，最快可于明年下半年开始带动出货量增加。这也意味着，设备导入、产能建置与实际出货成长将分阶段推进。

泰勒厂是三星在美国扩大先进芯片制造布局的重要据点。

三星于 2021 年决定投资兴建，初期投资金额达 170 亿美元，主要客户包括特斯拉 (TSLA-US)。三星先前表示，第一厂以 2026 年开始营运为目标，后续将逐步扩充产能。

在制程技术方面，三星 2 纳米制程采用环绕式闸极 (GAA) 晶体管架构，其多桥信道场效应管 (MBCFET) 技术通过堆栈纳米片信道与环绕闸极设计，提升电流控制能力，以满足先进芯片的性能与功耗需求。

随着第一厂设备布局逐步到位，三星下一阶段投资重点将转向泰勒第二厂。

报导指出，三星计划于今年底动工，目标于 2030 年开始营运，目前已要求多家半导体设备供应商提前取得设备导入所需的安全认证。

随着人工智能 (AI) 芯片对性能及能源效率的要求持续提高，2 纳米制程已成为先进晶圆代工竞争的重要战场。

泰勒第一厂的扩产进度，以及第二厂的后续建设，将是三星推进美国先进制程布局的关键。