中央消息

（中央社记者 张建中 新竹22日电）韩国媒体日前报导，三星（Samsung）将首度采用台积电的3纳米制程，为辉达（NVIDIA）下一代客制化HBM制造基础晶粒，引发热议。半导体专家表示，实际应是辉达委由台积电代工生产客制化HBM的基础晶粒，而不是三星下单台积电。

专家认为，辉达在全球数据中心生态系中独霸，拥有绝对话语权，才能够在内存严重供不应求的情况下，让三星等3大动态随机访问内存（DRAM）厂配合其客制化HBM方案。在对手超微（AMD）等进逼竞争下，不排除可望为辉达筑起新一道护城河。

「首尔经济日报」日前引述产业消息人士报导，三星经过内部审查后同意辉达的要求，在客制化HBM（NVHBM）的基础晶粒（base die）采用台积电制程，这将是三星首度在HBM制造阶段与晶圆代工业务竞争对手台积电合作。消息一出，引发各界高度关注与热烈讨论。

半导体产业专家指出，过去SK海力士（Hynix）和美光（Micron）与台积电合作，委由台积电代工生产高带宽内存（HBM）的基础晶粒，再集成DRAM出货辉达等客户，三星则是采取自家的制程技术生产基础晶粒，集成DRAM供货的模式。

专家表示，为降低不同供应商HBM产品之间的性能差异与验证负担，辉达提出NVHBM客制化HBM方案，要求三星、SK海力士和美光统一采用当前最先进的第6代制程技术生产DRAM，基础晶粒则由辉达设计并采用台积电3纳米制程代工生产。

专家说，HBM的基础晶粒主要控制DRAM与绘图处理器（GPU）的交互，包含数据流等。辉达NVHBM是第1个客制化HBM的特案，与以往采购HBM模式大不同，是由辉达直接下单台积电，委托台积电代工生产基础晶粒，而不是三星寻求台积电代工生产。

专家表示，三星与台积电应是各司其职服务共同的大客户辉达，三星提供DRAM，台积电则为辉达代工生产GPU和HBM基础晶粒等芯片，并以CoWoS等先进封装完成系统集成。

人工智能（AI）强劲需求促使内存严重供不应求，辉达首席执行官黄仁勋与超微董事长暨首席执行官苏姿丰皆曾亲自前往韩国，争取HBM产能。

专家指出，辉达的NVHBM是客制化HBM，并不适用于超微等平台，辉达借由NVHBM方案等同于包下三星、SK海力士和美光的产能。辉达NVHBM的用量若增大，可能排挤超微、英特尔（Intel）以及特殊应用芯片（ASIC）等阵营取得HBM产能，为辉达筑起新一道护城河，未来发展值得追踪观察。（编辑：张均懋）1151022

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