艾司摩尔(ASML)首席执行官傅恪礼(Christophe Fouquet)日前在第三季法说会上说，高数值孔径极紫外光刻机(High-NA EUV)正从研发迈矢量产，客户进度提供设备投资下一阶段时间表。对此专家表示，ASML下一波成长周期逐渐清晰，关键不在短期出机台数，而在英特尔、三星、台积电何时大规模导入High-NA EUV。

英特尔已用High-NA EUV曝光超过100万片晶圆，表现达到或优于低NA同类制程层，三星则打算2028年将High-NA EUV导入大规模量产，台积电目标2030年左右用于先进逻辑。

ASML在财报会议上还说，现有High-NA EUV机台稼动率接近九成，但未来收入仍须看客户验证层数与扩线速度。台积电另与ASML推动12吋光罩联盟，目标2031年建中试线、2033年量产，以降低6吋光罩拼接限制、对应大型AI芯片。

短期供需同样吃紧。ASML预估，2027年低NA EUV与浸润式DUV产能各年增30%，但管理层认为仍难满足2027、2028年需求，正研究进一步扩充2028年产出，第三季净销售约117亿欧元、毛利57.5%、净利约50亿欧元，全年营收指引上调至440至450亿欧元。

ASML财务长戴厚杰(Roger Dassen)指出，High-NA EUV仍属非常初期爬坡，客户完成制程验证、增加应用层别后才会带动更多机台订单。

对投资人而言，行情呈双速结构：低NA与DUV升级、产能利用率提升支撑近期营收；High-NA EUV则是长期杠杆，贡献时点取决于英特尔扩层、三星2028兑现、台积电2030导入，以及ASML交机能力。若三家大厂路线不延后，ASML可望受惠AI与先进制程资本支出长周期，但股价仍会受量产时程、单机成本与整体半导体景气影响。