艾司摩爾(ASML)執行長傅恪禮(Christophe Fouquet)日前在第三季法說會上說，高數值孔徑極紫外光刻機(High-NA EUV)正從研發邁向量產，客戶進度提供設備投資下一階段時間表。對此專家表示，ASML下一波成長週期逐漸清晰，關鍵不在短期出機台數，而在英特爾、三星、台積電何時大規模導入High-NA EUV。

英特爾已用High-NA EUV曝光超過100萬片晶圓，表現達到或優於低NA同類製程層，三星則打算2028年將High-NA EUV導入大規模量產，台積電目標2030年左右用於先進邏輯。

ASML在財報會議上還說，現有High-NA EUV機台稼動率接近九成，但未來收入仍須看客戶驗證層數與擴線速度。台積電另與ASML推動12吋光罩聯盟，目標2031年建中試線、2033年量產，以降低6吋光罩拼接限制、對應大型AI晶片。

短期供需同樣吃緊。ASML預估，2027年低NA EUV與浸潤式DUV產能各年增30%，但管理層認為仍難滿足2027、2028年需求，正研究進一步擴充2028年產出，第三季淨銷售約117億歐元、毛利57.5%、淨利約50億歐元，全年營收指引上調至440至450億歐元。

ASML財務長戴厚杰(Roger Dassen)指出，High-NA EUV仍屬非常初期爬坡，客戶完成製程驗證、增加應用層別後才會帶動更多機台訂單。

對投資人而言，行情呈雙速結構：低NA與DUV升級、產能利用率提升支撐近期營收；High-NA EUV則是長期槓桿，貢獻時點取決於英特爾擴層、三星2028兌現、台積電2030導入，以及ASML交機能力。若三家大廠路線不延後，ASML可望受惠AI與先進製程資本支出長週期，但股價仍會受量產時程、單機成本與整體半導體景氣影響。