高数值孔径极紫外光微影（High NA EUV）的量产导入时程逐渐明朗。 艾司摩尔（ASML）首席执行官Christophe Fouquet今（14）日表示，台积电（2330）确认将在2030年前后，把High NA导入大量生产；三星电子（005930，韩国交易所）则规划从2028年开始用于大量生产。 Fouquet指出，High NA计划启动至今已超过十年，如今各主要客户的采用进展，正逐步实现ASML多年来推动的技术里程碑。 台积电与ASML推12吋光罩联盟 谈到台积电与ASML的合作，Fouquet表示，台积电希望双方共同领导一个联盟，把12吋光罩引进产业，预期时程落在2030年代前半段。

他认为，这项合作也反映High NA在台积电长期规划中的重要性。 「台积电确认将在2030年前后，把High NA导入大量生产。 」Fouquet说，客户长期希望扩大High NA的使用，也因此希望采用12吋光罩，其他主要客户也已加入该联盟。 此次谈及的12吋是光罩尺寸。 依Fouquet的说明，12吋光罩引进产业的预期时程为2030年代前半段，台积电High NA大量生产规划则在2030年前后，两者分属相关技术配套与设备采用进度。 三星规划2028年采用，英特尔增加使用层数 除了台积电，Fouquet表示，三星已宣布将从2028年开始把High NA用于大量生产。

英特尔（INTC，NASDAQ）则持续在大量生产中使用这套系统，并增加采用的制程层数。 他指出，英特尔已有相当数量的晶圆在High NA系统上生产。 从联盟合作到不同客户的导入进度，这些发展都是ASML多年努力的成果。 此次访问呈现各主要客户不同的采用时程与使用进展，Fouquet并未进一步揭露个别客户对应的制程节点名称，或各年度High NA采购数量。 先进制程量测需求增，YieldStar新机生产力提升60% 随着先进制程推进，量测设备也必须同步提升能力。

Fouquet表示，ASML近几季量测业务成长强劲，其中包括YieldStar叠对量测系统；最新一代YieldStar 550B将进一步提高精准度，支持逻辑芯片14埃、也就是1.4纳米节点，以及DRAM 1D制程。 新设备的另一项重点，是生产力提升60%。 Fouquet说，客户为了取得所需性能，需要进行越来越多量测，若量测设备生产力未同步改善，也会面临产能问题。 「如果我们不提高生产力，量测设备也会像微影设备一样面临产能问题。 」他表示，提高量测设备生产力，有助于支持客户未来的需求。 这项60%的提升指设备生产力，而非量测精准度或整座晶圆厂的产能增幅。

Fouquet强调，ASML接下来必须同时推进产能与技术，包括High NA、YieldStar及Low NA设备生产力提升，既协助客户转向下一代制程，也协助增加晶圆产出。