高數值孔徑極紫外光微影（High NA EUV）的量產導入時程逐漸明朗。 艾司摩爾（ASML）執行長Christophe Fouquet今（14）日表示，台積電（2330）確認將在2030年前後，把High NA導入大量生產；三星電子（005930，韓國交易所）則規劃從2028年開始用於大量生產。 Fouquet指出，High NA計畫啟動至今已超過十年，如今各主要客戶的採用進展，正逐步實現ASML多年來推動的技術里程碑。 台積電與ASML推12吋光罩聯盟 談到台積電與ASML的合作，Fouquet表示，台積電希望雙方共同領導一個聯盟，把12吋光罩引進產業，預期時程落在2030年代前半段。

他認為，這項合作也反映High NA在台積電長期規劃中的重要性。 「台積電確認將在2030年前後，把High NA導入大量生產。 」Fouquet說，客戶長期希望擴大High NA的使用，也因此希望採用12吋光罩，其他主要客戶也已加入該聯盟。 此次談及的12吋是光罩尺寸。 依Fouquet的說明，12吋光罩引進產業的預期時程為2030年代前半段，台積電High NA大量生產規劃則在2030年前後，兩者分屬相關技術配套與設備採用進度。 三星規劃2028年採用，英特爾增加使用層數 除了台積電，Fouquet表示，三星已宣布將從2028年開始把High NA用於大量生產。

英特爾（INTC，NASDAQ）則持續在大量生產中使用這套系統，並增加採用的製程層數。 他指出，英特爾已有相當數量的晶圓在High NA系統上生產。 從聯盟合作到不同客戶的導入進度，這些發展都是ASML多年努力的成果。 此次訪問呈現各主要客戶不同的採用時程與使用進展，Fouquet並未進一步揭露個別客戶對應的製程節點名稱，或各年度High NA採購數量。 先進製程量測需求增，YieldStar新機生產力提升60% 隨著先進製程推進，量測設備也必須同步提升能力。

Fouquet表示，ASML近幾季量測業務成長強勁，其中包括YieldStar疊對量測系統；最新一代YieldStar 550B將進一步提高精準度，支援邏輯晶片14埃、也就是1.4奈米節點，以及DRAM 1D製程。 新設備的另一項重點，是生產力提升60%。 Fouquet說，客戶為了取得所需效能，需要進行越來越多量測，若量測設備生產力未同步改善，也會面臨產能問題。 「如果我們不提高生產力，量測設備也會像微影設備一樣面臨產能問題。 」他表示，提高量測設備生產力，有助於支援客戶未來的需求。 這項60%的提升指設備生產力，而非量測精準度或整座晶圓廠的產能增幅。

Fouquet強調，ASML接下來必須同時推進產能與技術，包括High NA、YieldStar及Low NA設備生產力提升，既協助客戶轉向下一代製程，也協助增加晶圓產出。