外媒最新报导指出，SK海力士第六代高带宽内存HBM4扩产步伐出现放缓迹象，部分后道工序设备订单递延至明年，后续采购计划尚未明朗，引发市场对HBM4量产进度的疑虑，相关设备供应商股价承受潜在压力。

韩媒《Dealsite》近日引述半导体设备业界消息报导，原定今年下半年交付的部分HBM4后道设备，出货时程往后顺延，已交付设备是否满载运转缺乏数据佐证，SK海力士2027年度投资计划也未正式通知部分供应商。

SK海力士今年HBM4设备主要发单作业大致告一段落，但追加投信息号并不明显。有业者直言，若扩产积极推进，理应发布明确动向，目前SK海力士未明显缩减，也没有扩大HBM4投资的清晰信号。

不过，市场也有不同声音，呼吁不宜过度解读。南韩大信证券分析师柳亨根指出，市场对于HBM4供货品质问题存在过度忧虑，后道工序出现的问题属于可解决范畴，尚未走到需要讨论赔偿责任的地步。

技术层面，SK海力士已向主要客户提供HBM4 16层堆栈样品，在高堆栈封装技术上依旧维持领先地位。

另一关键背景是通用DRAM市况回暖，SK海力士投资重心可能出现结构性调整。设备业界人士表示，今年下半年SK海力士对HBM相关投资趋于保守，部分资金转向价格走扬的通用DRAM。这与龙仁半导体集群布局相互呼应，Y1工厂首座洁净室优先导入DRAM生产设备，预计采用第六代10纳米级(1c)制程，添加产能初期将优先配置给通用DRAM，即便1c制程投产，短期也难以拨给HBM使用。

整体而言，设备订单延后不等同HBM4产品竞争力出现问题。多位业内人士强调，SK海力士封装实力居于业界前列，仅凭2027年投资计划尚未对外说明，就断言HBM4量产受阻，依据并不充分，后续仍须观察客户验证进度与实际投片动向。