外媒最新報導指出，SK海力士第六代高頻寬記憶體HBM4擴產步伐出現放緩跡象，部分後道工序設備訂單遞延至明年，後續採購計畫尚未明朗，引發市場對HBM4量產進度的疑慮，相關設備供應商股價承受潛在壓力。

韓媒《Dealsite》近日引述半導體設備業界消息報導，原定今年下半年交付的部分HBM4後道設備，出貨時程往後順延，已交付設備是否滿載運轉缺乏數據佐證，SK海力士2027年度投資計畫也未正式通知部分供應商。

SK海力士今年HBM4設備主要發單作業大致告一段落，但追加投資訊號並不明顯。有業者直言，若擴產積極推進，理應釋出明確動向，目前SK海力士未明顯縮減，也沒有擴大HBM4投資的清晰訊號。

不過，市場也有不同聲音，呼籲不宜過度解讀。南韓大信證券分析師柳亨根指出，市場對於HBM4供貨品質問題存在過度憂慮，後道工序出現的問題屬於可解決範疇，尚未走到需要討論賠償責任的地步。

技術層面，SK海力士已向主要客戶提供HBM4 16層堆疊樣品，在高堆疊封裝技術上依舊維持領先地位。

另一關鍵背景是通用DRAM市況回暖，SK海力士投資重心可能出現結構性調整。設備業界人士表示，今年下半年SK海力士對HBM相關投資趨於保守，部分資金轉向價格走揚的通用DRAM。這與龍仁半導體集群布局相互呼應，Y1工廠首座潔淨室優先導入DRAM生產設備，預計採用第六代10奈米級(1c)製程，新增產能初期將優先配置給通用DRAM，即便1c製程投產，短期也難以撥給HBM使用。

整體而言，設備訂單延後不等同HBM4產品競爭力出現問題。多位業內人士強調，SK海力士封裝實力居於業界前列，僅憑2027年投資計畫尚未對外說明，就斷言HBM4量產受阻，依據並不充分，後續仍須觀察客戶驗證進度與實際投片動向。