英特尔前首席执行官季辛格最新专访再轰高带宽内存(HBM)，直称其「丑陋、太差劲」，虽是现阶段最佳方案，却有严重架构缺陷。

他指出，HBM比特密度低，且受「海岸线带宽」限制。通过超宽总线连接运算芯片，HBM3/3E为1024位、HBM4升至2048位，物理层占用芯片边缘大量硅面积，运算芯片通常仅两边放HBM、另两边给系统I/O，可堆栈数量受限。

散热是另一痛点。季辛格曾在RAISE峰会警告垂直堆栈形成「热三明治」。根据韩国科学技术院分析，HBM功耗超过约30瓦后，物理层自身发热即成内存热应力主源，而DRAM不耐高温，数据过度集中更不利AI推理与训练。

供应面同样承压。HBM制程复杂，生产同等容量约耗用普通DRAM三倍晶圆，龙头与代工厂扩产排挤DDR、LPDDR等通用材料。

台湾南亚科技预期DRAM供不应求可能延续至2028年初；SK海力士副总裁金浩植亦公开表示，HBM并非解决「内存墙」的最终答案，公司正研究新架构。

不过，随着AI参数与上下文变长，业界加快探索运算近内存、光互连与新材质。季辛格坦言短期仍离不开HBM，但长线必须有替代方案，否则AI扩张将持续受内存带宽、功耗与成本三面夹击。