英特爾前執行長季辛格最新專訪再轟高頻寬記憶體(HBM)，直稱其「醜陋、太差勁」，雖是現階段最佳方案，卻有嚴重架構缺陷。

他指出，HBM位元密度低，且受「海岸線頻寬」限制。透過超寬匯流排連接運算晶片，HBM3/3E為1024位、HBM4升至2048位，物理層佔用晶片邊緣大量矽面積，運算晶片通常僅兩邊放HBM、另兩邊給系統I/O，可堆疊數量受限。

散熱是另一痛點。季辛格曾在RAISE峰會警告垂直堆疊形成「熱三明治」。根據韓國科學技術院分析，HBM功耗超過約30瓦後，物理層自身發熱即成記憶體熱應力主源，而DRAM不耐高溫，資料過度集中更不利AI推理與訓練。

供應面同樣承壓。HBM製程複雜，生產同等容量約耗用普通DRAM三倍晶圓，龍頭與代工廠擴產排擠DDR、LPDDR等通用材料。

台灣南亞科技預期DRAM供不應求可能延續至2028年初；SK海力士副總裁金浩植亦公開表示，HBM並非解決「記憶體牆」的最終答案，公司正研究新架構。

不過，隨著AI參數與上下文變長，業界加快探索運算近記憶體、光互連與新材質。季辛格坦言短期仍離不開HBM，但長線必須有替代方案，否則AI擴張將持續受記憶體頻寬、功耗與成本三面夾擊。