内存族群今（13）日遭遇沉重卖压，受到中国内存大厂长鑫存储（CXMT）传出在新型DRAM架构取得技术进展影响，市场担忧全球内存产业竞争升温，拖累台湾相关个股全面走弱。 开盘约一小时，旺宏（2337）重挫9.09%至105元，南亚科（2408）下跌8.6%至481.5元，失守500元关卡，华邦电（2344）下跌8.33%至159.5元，群联（8299）跌幅也超过7%，高价股群联近期股价水准与内文描述存在冲突，需确认数值合理性。 ，市场关注长鑫存储的新技术进展，是否将进一步改变全球内存产业竞争格局。

内存族群卖压涌现 南亚科跌破500元、群联失守2,000元 台股内存族群今日开盘后全面走低，旺宏跌幅一度超过9%，南亚科及华邦电双双下跌逾8%，高价股群联也失守2,000元整数关卡，显示市场对内存产业前景的疑虑升高。 不过，部分个股跌势出现收敛。 连续多日下跌、并遭列入25分钟撮合处置的巨虹，盘中跌停一度打开，股价一度回到平盘价15.8元。 内存族群经过近期修正后，后续股价走势仍受到市场关注。 长鑫存储研发4F平方架构 计划年底推出新款服务器内存 据《南华早报》12日引述长鑫存储公司声明报导，长鑫存储总裁曹侃宇日前在上海一场产业活动上表示，公司计划于2026年底前推出采用新型内存架构的服务器内存产品。

此次引发市场关注的技术为「4F平方」（4F²）保存单元设计，其中F代表半导体制程的最小特征尺寸，4F平方则是指单一内存保存单元占用的面积相当于4倍F平方。 相较目前主流商用DRAM采用的6F平方结构，新设计可缩小单元面积，使相同芯片面积容纳更多保存单元，进而提高内存保存密度。 长鑫存储指出，这项设计的内核在于自主研发的垂直环绕闸极（Vertical Surrounding Gate，VSG）晶体管，通过垂直式架构改善漏电问题，同时缩小保存单元面积。 由6F平方转向4F平方，不仅涉及保存单元面积缩小，也代表晶体管架构的重要改变，因此受到全球内存产业关注。

三星、SK海力士同步布局新架构 长鑫存储技术进展引发竞争疑虑 事实上，4F平方并非只有长鑫存储投入研发。 SK海力士已于2025年公布相关技术发展蓝图，南韩媒体《The Elec》今年4月也报导，三星电子计划于2028年前量产采用4F平方设计、制程低于10纳米的DRAM产品。 据《彭博》报导，长鑫存储在三星电子与SK海力士同样投入的新型内存架构上取得进展，使投资人更加关注中国内存业者的技术追赶速度，以及未来可能带来的市场竞争压力。 不过，技术研发取得进展，并不代表相关产品已具备大规模量产能力。 新架构后续能否顺利商业化，仍须观察制程良率、产能扩充、成本竞争力及客户验证等因素。

美光、三星、SK海力士同步走弱 全球内存股面临修正 长鑫存储的技术消息也冲击海外内存类股。 南韩市场方面，三星电子与SK海力士股价双双下跌超过5%，并朝连续第五个交易日收黑，南韩KOSPI指数盘中一度重挫4.8%。 美股方面，12日内存及保存相关个股普遍收低。 美光（Micron）下跌3.88%，闪存业者SanDisk下挫5.97%，SK海力士美国存托凭证（ADR）下跌4.02%；硬盘业者威腾电子（Western Digital）及希捷（Seagate）也分别下跌2.06%、3.80%。 除了中国内存厂商的技术进展，市场近期也重新评估AI相关投资风险。

博通首席执行官近期以近似「赌博」形容部分AI股票投资，进一步引发投资人对AI资本支出持续性的讨论。 内存族群今年以来受惠AI数据中心需求、产品价格上涨及供给吃紧，股价累积明显涨幅。 在产业竞争疑虑升高之际，部分资金选择获利了结，也使相关个股面临修正压力。 内存景气能否延续至2028年？ 法人关注长鑫存储量产进度 对于内存产业后市，市场目前主要关注两项变量，包括内存景气循环能否延续至2028年以后，以及长鑫存储能否持续缩小与韩系、美系内存大厂之间的技术差距。 尽管4F平方架构有助于提高内存保存密度，但产品研发、商业化与大规模量产仍属不同阶段。 长鑫存储计划年底推出新产品，是否能进一步转化为稳定供给及成本优势，仍有待后续观察。

对台湾内存族群而言，除了国际竞争态势，DRAM与NAND Flash价格变化、AI服务器需求及各厂营运表现，也将是影响后续股价的重要观察指针。 投资提醒： 股市投资具有风险，个股价格可能受到产业消息、国际市场及资金动向影响而大幅波动，投资人应审慎评估自身风险承受能力，并留意相关企业后续公告及产业发展。