記憶體族群今（13）日遭遇沉重賣壓，受到中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）傳出在新型DRAM架構取得技術進展影響，市場擔憂全球記憶體產業競爭升溫，拖累台灣相關個股全面走弱。 開盤約一小時，旺宏（2337）重挫9.09%至105元，南亞科（2408）下跌8.6%至481.5元，失守500元關卡，華邦電（2344）下跌8.33%至159.5元，群聯（8299）跌幅也超過7%，高價股群聯近期股價水準與內文描述存在衝突，需確認數值合理性。 ，市場關注長鑫存儲的新技術進展，是否將進一步改變全球記憶體產業競爭格局。

記憶體族群賣壓湧現 南亞科跌破500元、群聯失守2,000元 台股記憶體族群今日開盤後全面走低，旺宏跌幅一度超過9%，南亞科及華邦電雙雙下跌逾8%，高價股群聯也失守2,000元整數關卡，顯示市場對記憶體產業前景的疑慮升高。 不過，部分個股跌勢出現收斂。 連續多日下跌、並遭列入25分鐘撮合處置的巨虹，盤中跌停一度打開，股價一度回到平盤價15.8元。 記憶體族群經過近期修正後，後續股價走勢仍受到市場關注。 長鑫存儲研發4F平方架構 計劃年底推出新款伺服器記憶體 據《南華早報》12日引述長鑫存儲公司聲明報導，長鑫存儲總裁曹侃宇日前在上海一場產業活動上表示，公司計劃於2026年底前推出採用新型記憶體架構的伺服器記憶體產品。

此次引發市場關注的技術為「4F平方」（4F²）儲存單元設計，其中F代表半導體製程的最小特徵尺寸，4F平方則是指單一記憶體儲存單元占用的面積相當於4倍F平方。 相較目前主流商用DRAM採用的6F平方結構，新設計可縮小單元面積，使相同晶片面積容納更多儲存單元，進而提高記憶體儲存密度。 長鑫存儲指出，這項設計的核心在於自主研發的垂直環繞閘極（Vertical Surrounding Gate，VSG）電晶體，透過垂直式架構改善漏電問題，同時縮小儲存單元面積。 由6F平方轉向4F平方，不僅涉及儲存單元面積縮小，也代表電晶體架構的重要改變，因此受到全球記憶體產業關注。

三星、SK海力士同步布局新架構 長鑫存儲技術進展引發競爭疑慮 事實上，4F平方並非只有長鑫存儲投入研發。 SK海力士已於2025年公布相關技術發展藍圖，南韓媒體《The Elec》今年4月也報導，三星電子計劃於2028年前量產採用4F平方設計、製程低於10奈米的DRAM產品。 據《彭博》報導，長鑫存儲在三星電子與SK海力士同樣投入的新型記憶體架構上取得進展，使投資人更加關注中國記憶體業者的技術追趕速度，以及未來可能帶來的市場競爭壓力。 不過，技術研發取得進展，並不代表相關產品已具備大規模量產能力。 新架構後續能否順利商業化，仍須觀察製程良率、產能擴充、成本競爭力及客戶驗證等因素。

美光、三星、SK海力士同步走弱 全球記憶體股面臨修正 長鑫存儲的技術消息也衝擊海外記憶體類股。 南韓市場方面，三星電子與SK海力士股價雙雙下跌超過5%，並朝連續第五個交易日收黑，南韓KOSPI指數盤中一度重挫4.8%。 美股方面，12日記憶體及儲存相關個股普遍收低。 美光（Micron）下跌3.88%，快閃記憶體業者SanDisk下挫5.97%，SK海力士美國存託憑證（ADR）下跌4.02%；硬碟業者威騰電子（Western Digital）及希捷（Seagate）也分別下跌2.06%、3.80%。 除了中國記憶體廠商的技術進展，市場近期也重新評估AI相關投資風險。

博通執行長近期以近似「賭博」形容部分AI股票投資，進一步引發投資人對AI資本支出持續性的討論。 記憶體族群今年以來受惠AI資料中心需求、產品價格上漲及供給吃緊，股價累積明顯漲幅。 在產業競爭疑慮升高之際，部分資金選擇獲利了結，也使相關個股面臨修正壓力。 記憶體景氣能否延續至2028年？ 法人關注長鑫存儲量產進度 對於記憶體產業後市，市場目前主要關注兩項變數，包括記憶體景氣循環能否延續至2028年以後，以及長鑫存儲能否持續縮小與韓系、美系記憶體大廠之間的技術差距。 儘管4F平方架構有助於提高記憶體儲存密度，但產品研發、商業化與大規模量產仍屬不同階段。 長鑫存儲計劃年底推出新產品，是否能進一步轉化為穩定供給及成本優勢，仍有待後續觀察。

對台灣記憶體族群而言，除了國際競爭態勢，DRAM與NAND Flash價格變化、AI伺服器需求及各廠營運表現，也將是影響後續股價的重要觀察指標。 投資提醒： 股市投資具有風險，個股價格可能受到產業消息、國際市場及資金動向影響而大幅波動，投資人應審慎評估自身風險承受能力，並留意相關企業後續公告及產業發展。