中央消息

（中央社记者 张建中 新竹12日电）DRAM厂南亚科规划于屏东科学园区建置3D晶圆封装与测试厂，总经理李培瑛今天表示，屏东厂选址并无政治考量，经评估屏东速度最快，预计2028年下半年投片，不过，不排除继续评估其他地区可能性。

南亚科今天召开在线法人说明会，李培瑛首度针对于屏东科学园区建置3D晶圆封装与测试厂提出说明。他说，屏东厂预计2028年年底前导入硅穿孔（TSV）和晶圆堆栈等3D IC先进技术。

李培瑛表示，基于客户需求，希望能尽快发布产能，南亚科在评估全台地区后，考量屏东速度最快，才会选择在屏东建置3D晶圆封装与测试厂，并无政治考量，不过，不排除继续评估其他地区可能性。

李培瑛说，目前尚无屏东厂整体资本支出金额，初期会有营建支出，之后会有设备支出，估计资本支出会比林口5A新厂少。

李培瑛表示，先进封装相关研发人员已经到齐，研发作业会在新北厂进行，进展不错，已开始小量交货云端或终端产品客户，至于屏东厂生产制造人力需求尚在规划中，未来扩建将依客户长期合约的AI项目为目标。（编辑：杨凯翔）1151012

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