三星电机在KPCA韩国封装展展示新一代玻璃内核基板，推出150毫米超大尺寸、最高支持30层增层堆栈的样品，瞄准下一代AI与高性能计算（HPC）芯片封装需求。三星已向主要AI客户送样测试，并布局上游玻璃芯材料供应，推进玻璃基板商用化。

此举标志着三星在下一代高性能计算（HPC）与AI芯片封装基板领域，成功完成从传统有机FCBGA向玻璃基异构集成的关键技术跨越，直接迎战英特尔、台积电、京东方等全球对手的技术竞赛。

随着GPU、HBM内存及小芯片（Chiplet）集成程度提高，AI服务器芯片功耗持续攀升，传统ABF有机载板面临翘曲、高温稳定性不足与高速信号损耗等挑战。

玻璃基板具备热膨胀系数与硅接近、低介电损耗及高尺寸稳定性等优势，成为下一代封装的重要发展方向，大尺寸与高层数堆栈则是量产的关键门槛。

尺寸放大 可搭载更多芯片

三星此次展示的150毫米玻璃基板，相较先前业界主流110毫米级产品，可用面积增加，单块基板能承载更多小芯片与HBM内存组合，以满足超大尺寸AI芯片封装需求。

最高30层堆栈也是展品亮点。多层增层制程中，每一层都须完成精细线路制作、层间精准对位及玻璃通孔（TGV）互连；随着层数增加，对位偏差、翘曲与分层失效风险也随之升高。

三星电机结合多年FCBGA高层基板制程经验，以及与住友化学合资成立的Glass EM所开发的专用玻璃芯材料，集成多层增层与TGV垂直互连技术，实现30层结构稳定成型，通过高密度垂直通孔，提供多芯片间的高速信号信道。

上游材料布局同步推进

在材料供应方面，三星电机与日本住友化学合资成立Glass EM，于韩国平泽建设玻璃芯产线，计划2027年下半年启动量产，为玻璃基板提供上游材料保障。

三星也已向主要AI客户送样，进行可靠性、高低温循环与高速信号完整性验证，目标用于下一代服务器AI芯片封装。

三星的技术路线采用超快雷射在玻璃上制作TGV，再通过填铜与多层增层布线，实现高密度垂直互连，主要用途是算力芯片封装的电信号互连。

走矢量产仍有挑战

全球玻璃基板竞争已进入技术验证与送样阶段。三星这套150毫米、30层方案，将在基板尺寸、堆栈层数、TGV良率及成本等方面，与英特尔、台积电及京东方等业者竞争。

不过，大尺寸、高层数玻璃基板仍须解决TGV填铜均匀性、多层增层热应力控制、芯片组装后的长期可靠性，以及面板级量产良率等问题。

三星电机表示，将持续缩小线宽与线距、开发更高规格产品，布局AI服务器、自动驾驶及高性能网络芯片封装市场。