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HBM後輪NAND大缺貨?韓媒:三星將逾6成V-NAND產能給輝達 加速V9、V10布局
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HBM後輪NAND大缺貨?韓媒:三星將逾6成V-NAND產能給輝達 加速V9、V10布局

TL;DR · 这代表什么

外媒报导指出,三星电子正将超过60%的V-NAND(垂直堆栈NAND)产能供应给辉达,用于后者即将铺量的AI服务器上下文存储平台CMX(Context Memory Storage)。单套CMX搭载576块SSD、总容量达9600TB,专门承接大模型推理时暴增的KV缓存数据,缓解GPU HBM外溢瓶颈。

(摘自原文导言,非改写)

新闻正文

外媒报导指出,三星电子正将超过60%的V-NAND(垂直堆栈NAND)产能供应给辉达,用于后者即将铺量的AI服务器上下文存储平台CMX(Context Memory Storage)。 单套CMX搭载576块SSD、总容量达9600TB,专门承接大模型推理时暴增的KV缓存数据,缓解GPU HBM外溢瓶颈。 韩媒《Sedaily》周一(20日)报导指出,业界人士估算CMX带动的NAND需求将从2026年的3500万TB,激增至2027年的1亿TB以上,三星2026年NAND总产量约2.5亿TB,凭借月产超10万片晶圆的规模,目标成为辉达CMX内核供应商。

产线端,三星V-NAND产能结构快速向先进代际倾斜:V9(286层)占比约60%、良率站稳80%以上,进入量产稳定期,V8占比压至40%以下,V10(400层)上半年已量产,堆栈约400层、存储密度较V9提升50%,可在同体积CMX模块内塞入更高容量SSD,面向CMX优化的V11已启动研发,目标最高500层,下半年试产规模预计翻倍。 分析指出,AI服务器从「拼GPU算力」延伸到「拼上下文存储」,让NAND从周期性商品转为算力基础设施一环。 三星绑定辉达CMX,既消化先进产能,也加剧消费级SSD供给收缩与价格上行压力。 随着V10/V11接棒,2027年后AI数据中心NAND采购格局将进一步向主要大厂集中。

引用级事实单元(F-Units)

外媒报导指出,三星电子正将超过60%的V-NAND(垂直堆栈NAND)产能供应给辉达,用于后者即将铺量的AI服务器上下文存储平台CMX(Context Memory Storage)。

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单套CMX搭载576块SSD、总容量达9600TB,专门承接大模型推理时暴增的KV缓存数据,缓解GPU HBM外溢瓶颈。

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韩媒《Sedaily》周一(20日)报导指出,业界人士估算CMX带动的NAND需求将从2026年的3500万TB,激增至2027年的1亿TB以上,三星2026年NAND总产量约2.5亿TB,凭借月产超10万片晶圆的规模,目标成为辉达CMX内核供应商。

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产线端,三星V-NAND产能结构快速向先进代际倾斜:V9(286层)占比约60%、良率站稳80%以上,进入量产稳定期,V8占比压至40%以下,V10(400层)上半年已量产,堆栈约400层、存储密度较V9提升50%,可在同体积CMX模块内塞入更高容量SSD,面向CMX优化的V11已启动研发,目标最高500层,下半年试产规模预计翻倍。

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随着V10/V11接棒,2027年后AI数据中心NAND采购格局将进一步向主要大厂集中。

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数字与意义

60%

外媒报导指出,三星电子正将超过60%的V-NAND(垂直堆栈NAND)产能供应给辉达,用于后者即将铺量的AI服务器上下文存储平台CMX(Context Memory Storage)。

常见问题(FAQ)

这则新闻的重点是什么?

外媒报导指出,三星电子正将超过60%的V-NAND(垂直堆栈NAND)产能供应给辉达,用于后者即将铺量的AI服务器上下文存储平台CMX(Context Memory Storage)。单套CMX搭载576块SSD、总容量达9600TB,专门承接大模型推理时暴增的KV缓存数据,缓解GPU HBM外溢瓶颈。

原文提到哪些关键数字?

单套CMX搭载576块SSD、总容量达9600TB,专门承接大模型推理时暴增的KV缓存数据,缓解GPU HBM外溢瓶颈。 韩媒《Sedaily》周一(20日)报导指出,业界人士估算CMX带动的NAND需求将从2026年的3500万TB,激增至2027年的1亿TB以上,三星2026年NAND总产量约2.5亿TB,凭借月产超10万片晶圆的规模,目标成为辉达CMX内核供应商。

这则新闻的原始出处与发布时间?

原始出处:鉅亨網(https://news.cnyes.com/news/id/6542366)。原文发布时间:2026-07-22。