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HBM後輪NAND大缺貨?韓媒:三星將逾6成V-NAND產能給輝達 加速V9、V10布局
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HBM後輪NAND大缺貨?韓媒:三星將逾6成V-NAND產能給輝達 加速V9、V10布局

TL;DR · 這代表什麼

外媒報導指出,三星電子正將超過60%的V-NAND(垂直堆疊NAND)產能供應給輝達,用於後者即將鋪量的AI伺服器上下文存儲平台CMX(Context Memory Storage)。單套CMX搭載576塊SSD、總容量達9600TB,專門承接大模型推理時暴增的KV快取數據,緩解GPU HBM外溢瓶頸。

(摘自原文導言,非改寫)

新聞正文

外媒報導指出,三星電子正將超過60%的V-NAND(垂直堆疊NAND)產能供應給輝達,用於後者即將鋪量的AI伺服器上下文存儲平台CMX(Context Memory Storage)。 單套CMX搭載576塊SSD、總容量達9600TB,專門承接大模型推理時暴增的KV快取數據,緩解GPU HBM外溢瓶頸。 韓媒《Sedaily》週一(20日)報導指出,業界人士估算CMX帶動的NAND需求將從2026年的3500萬TB,激增至2027年的1億TB以上,三星2026年NAND總產量約2.5億TB,憑藉月產超10萬片晶圓的規模,目標成為輝達CMX核心供應商。

產線端,三星V-NAND產能結構快速向先進代際傾斜:V9(286層)佔比約60%、良率站穩80%以上,進入量產穩定期,V8佔比壓至40%以下,V10(400層)上半年已量產,堆疊約400層、存儲密度較V9提升50%,可在同體積CMX模組內塞入更高容量SSD,面向CMX優化的V11已啟動研發,目標最高500層,下半年試產規模預計翻倍。 分析指出,AI伺服器從「拼GPU算力」延伸到「拼上下文存儲」,讓NAND從週期性商品轉為算力基礎設施一環。 三星綁定輝達CMX,既消化先進產能,也加劇消費級SSD供給收縮與價格上行壓力。 隨著V10/V11接棒,2027年後AI資料中心NAND採購格局將進一步向主要大廠集中。

引用級事實單元(F-Units)

外媒報導指出,三星電子正將超過60%的V-NAND(垂直堆疊NAND)產能供應給輝達,用於後者即將鋪量的AI伺服器上下文存儲平台CMX(Context Memory Storage)。

F1 本站收錄原文的原句(僅去排版記號與多餘空白)· 第 1 段 · 鉅亨網 來源類別:未分類(尚未核實)

單套CMX搭載576塊SSD、總容量達9600TB,專門承接大模型推理時暴增的KV快取數據,緩解GPU HBM外溢瓶頸。

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韓媒《Sedaily》週一(20日)報導指出,業界人士估算CMX帶動的NAND需求將從2026年的3500萬TB,激增至2027年的1億TB以上,三星2026年NAND總產量約2.5億TB,憑藉月產超10萬片晶圓的規模,目標成為輝達CMX核心供應商。

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產線端,三星V-NAND產能結構快速向先進代際傾斜:V9(286層)佔比約60%、良率站穩80%以上,進入量產穩定期,V8佔比壓至40%以下,V10(400層)上半年已量產,堆疊約400層、存儲密度較V9提升50%,可在同體積CMX模組內塞入更高容量SSD,面向CMX優化的V11已啟動研發,目標最高500層,下半年試產規模預計翻倍。

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隨著V10/V11接棒,2027年後AI資料中心NAND採購格局將進一步向主要大廠集中。

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數字與意義

60%

外媒報導指出,三星電子正將超過60%的V-NAND(垂直堆疊NAND)產能供應給輝達,用於後者即將鋪量的AI伺服器上下文存儲平台CMX(Context Memory Storage)。

常見問題(FAQ)

這則新聞的重點是什麼?

外媒報導指出,三星電子正將超過60%的V-NAND(垂直堆疊NAND)產能供應給輝達,用於後者即將鋪量的AI伺服器上下文存儲平台CMX(Context Memory Storage)。單套CMX搭載576塊SSD、總容量達9600TB,專門承接大模型推理時暴增的KV快取數據,緩解GPU HBM外溢瓶頸。

原文提到哪些關鍵數字?

單套CMX搭載576塊SSD、總容量達9600TB,專門承接大模型推理時暴增的KV快取數據,緩解GPU HBM外溢瓶頸。 韓媒《Sedaily》週一(20日)報導指出,業界人士估算CMX帶動的NAND需求將從2026年的3500萬TB,激增至2027年的1億TB以上,三星2026年NAND總產量約2.5億TB,憑藉月產超10萬片晶圓的規模,目標成為輝達CMX核心供應商。

這則新聞的原始出處與發布時間?

原始出處:鉅亨網(https://news.cnyes.com/news/id/6542366)。原文發布時間:2026-07-22。