面对人工智能（AI）、高性能计算与 3D 芯片的蓬勃发展，全球半导体产业正加速寻求突破物理极限的新世代材料。 长庚大学携手台日顶尖团队突破二维半导体瓶颈，成功开发出厚度仅约 0.5 纳米的单层材料，卓越成果跃登国际顶尖期刊《Nature》！ 长庚大学校长汤明哲表示，长庚打造的「前瞻后硅异质材料中心」成功跨越极限，成功跨越国际技术蓝图 2031 年高性能挑战指针，为台湾在全球次世代半导体关键技术布局中抢下最关键的一席之地。 长庚大学今(3)日在台大医院国际会议中心盛大举行研究成果发表会。 校长汤明哲、工学院院长郭斯彦、化材系主任邱方遒等团队代表亲自出席，共同见证这项为次世代半导体开辟新局的重大突破。

长庚大学携手日本东京大学、台湾大学、阳明交通大学及中央研究院等国内外顶尖科研机构，成功克服国际长年难以兼顾材料性能与大面积制造的技术瓶颈，开发出全球罕见、具备晶圆尺度高迁移率的 p 型「硼碳氮（BCN）」二维半导体，研究成果已于今年 9 月底正式发表于《Nature》。 汤明哲表示，在追求高性能、省电与智能化的趋势下，二维半导体备受全球瞩目。 半导体如今已迈入后摩尔时代，国际科研竞逐的内核在于谁能率先克服新材料的物理极限。 长庚大学特聘国际权威童俊智成立「前瞻后硅异质材料中心」，串联日本东京大学、台大、阳明交大及中研院等顶尖跨国、跨校能量，成功解开困扰全球多年的二维材料难题，充分展现长庚大学在尖端科技研发上的扎实底蕴与领导力。

学校将全力支持顶尖科研团队链结全球产学资源，加速技术应用落地。 计划主持人、长庚大学「前瞻后硅异质材料中心」主任暨特聘教授童俊智指出，过去二维半导体在晶圆级大面积成长时，常面临缺陷多、载子迁移率偏低的困境。 本次研发并非仰赖昂贵且复杂的制程，而是回归基础化学反应机制，设计以单甲基胺硼烷（MMAB）与氨硼烷（AB）组成的双前驱物系统，精准调控硼、碳、氮原子在表面反应中的释放时序与键结路径，成功克服传统 BCN 合成中碳原子易析出形成石墨烯相分离、难以均匀嵌入氮化硼晶格的瓶颈。 研究团队成功在 2 吋晶圆尺度上，生长出结构连续、厚度仅约一个原子（约 0.5 纳米）且兼具高迁移率与均匀性的单层 BCN 材料。

其展现出的卓越组件性能，一举超越「2031 年国际组件与系统技术蓝图（IRDS）」所设置的高性能挑战指针，为业界追求低功耗、高性能芯片提供了全新且具可行性的材料解方。 童俊智进一步说明，该项单层 BCN 技术未来可望与 n 型二维半导体集成，广泛应用于 3D 单晶集成电路、超低功耗逻辑电路以及先进封装领域，为次世代 AI 芯片与后摩尔世代半导体开创崭新的发展架构。 汤明哲强调，长庚大学通过此次台日跨国产学研的紧密合作攻克极限制程瓶颈，不仅在全球高教科研界写下里程碑，也为台湾在前瞻半导体内核技术的自主研发实力上再添世界级亮点。