中国内存大厂长鑫科技( 688825-CN ) 计划在未来两个月内启动高带宽内存（HBM）HBM3E有限量产，即使目前产品良率仅约20%至30%，远低于南韩竞争对手SK海力士( 000660KS ) 的约70%，仍决定推进生产，凸显中国在美国出口管制下，急于突破AI内存供应瓶颈的压力。

根据《路透》报导，知情人士透露，长鑫存储已向多家中国本土AI芯片设计商送交HBM3E样品，并计划在未来两个月内开始有限量产。

长鑫存储是中国最大的动态随机访问内存（DRAM）制造商，HBM则是将多层内存芯片垂直堆栈，以加快与AI处理器之间的数据传输速度，是训练及运行大型语言模型所需的关键零组件。

中国AI芯片业者正积极寻找国产替代方案，以降低对辉达( NVDA-US ) AI处理器的依赖。分析指出，长鑫存储即使面临低良率，仍决定推进HBM3E生产，原因正是中国AI芯片厂难以取得足够的先进内存。

良率是指生产过程中符合规格的芯片占比。长鑫存储目前HBM3E良率仅约20%至30%。相较之下，全球HBM市场领导者SK海力士的良率约为70%。

知情人士表示，长鑫存储预期其HBM3E产品价格将高于海外竞争对手的同类产品。该公司最早于2024年便开始自主研发相关技术。

《The Information》率先报导长鑫存储的HBM3E计划，《路透》则首次披露相关产品良率及预计交付时程。

美国政府于2024年12月收紧部分先进HBM产品输往中国的出口管制。知情人士表示，中国芯片制造商愈来愈常通过非正式管道寻求取得这类内存，而这些管道的价格可能是正常价格的数倍。

《路透》上月报导，随着内存成本增加，使业者扩大产能的工作更加复杂，华为、寒武纪( 688256-CN ) 、壁仞科技( 06082-HK ) 及天数智芯( 09903-HK ) 已将现有及下一代AI芯片的价格调涨20%至50%。

除了良率与成本问题，长鑫存储的HBM技术水准也仍落后国际领导厂商。知情人士透露，测试结果显示，长鑫存储HBM3E的性能更接近SK海力士前一代HBM3，而非SK海力士的HBM3E。

另一名知情人士表示，长鑫存储已向客户送交两种HBM3E版本，分别为标准设计，以及经过更新、加入旨在提高良率之调整的版本。

目前全球HBM市场主要由SK海力士、三星电子( 005930KS ) 及美光科技( MU-US ) 主导。

根据Counterpoint Research，SK海力士第二季占全球HBM营收的50%，其次为三星的33%及美光的18%。该研究机构指出，当季HBM营收大多来自HBM3E产品。

Counterpoint表示，长鑫存储第二季占全球DRAM营收的10%，是全球第四大传统内存芯片供应商。然而，美国出口管制限制该公司取得部分最先进的芯片制造设备，使其更难缩小与全球竞争对手之间的差距。

三星今年7月表示，已扩大HBM4销售，并向主要客户送交HBM4E样品。这使长鑫存储在HBM商业化生产方面，至少落后一个世代。