先进制程持续微缩，新材料与新结构从研发走矢量产前，必须经过更多制程验证。 半导体材料分析业者泛铨（6830）27日宣布，携手国家实验研究院国家仪器科技研究中心，发展「类 FAB 产线验证技术」，将服务从制程完成后的材料分析，延伸至量产前的制程仿真与验证。 泛铨表示，通过在接近实际产线条件下观察材料反应，可望提早发现问题，减少进入晶圆厂试产后反复调整的时间与成本。 随着极紫外光微影（EUV）、高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）、新材料及先进封装陆续导入，制程研发的验证项目与复杂度也随之提高。 泛铨指出，若只在制程完成后进行材料分析，较难即时掌握材料在不同制程条件下的反应；因此，业者开始需要能链接制程条件与材料变化的验证方式。

类 FAB 仿真制程，再接续材料分析 泛铨与国研院国仪中心发展的类 FAB 技术，主要在接近实际产线条件的环境中仿真关键制程，观察材料反应，再衔接后续样品制备与结构分析。 泛铨规划集成低温至高温原子层沉积（ALD）、类 FAB 产线验证，以及穿透式电子显微镜（TEM）等材料分析能力，从制程仿真、生产验证到结果分析，创建较完整的服务流程。 类 FAB 着重研发阶段的制程仿真与验证，并非正式晶圆厂的量产线。 通过先在仿真环境中观察制程对材料结构的影响，泛铨认为，有助于客户在正式试产前掌握可能的问题，缩短研发验证循环。 不过，泛铨此次未提供实际缩短试产时间或降低成本的量化数据，相关效益仍待后续客户案例验证。 双方合作并非从此次宣布才开始。

泛铨表示，去年起即运用国研院国仪中心「先进半导体材料分析技术研发平台」的资源与设备，投入类 FAB 验证技术发展；泛铨原有的 ALD 能力也由低温应用延伸至高温制程，可依材料特性与验证需求调整条件。 低温 ALD 分析技术曾获 ASML 引用 泛铨既有的低温 ALD 覆盖分析技术，则是其先进制程分析能力之一。 这项技术可在金属氧化物光阻剂（MOR）表面形成均匀、致密的纳米级保护层，降低分析过程中光阻因受热而损伤或变形的可能，使分析结果更接近材料原始状态。 泛铨指出，该技术曾获艾司摩尔（ASML，荷兰挂牌，ASML）在国际光电工程学会（SPIE）论坛发表 High-NA EUV 微影制程技术时引用。

这项成果呈现的是泛铨在材料分析上的既有技术经验；类 FAB 验证则是双方合作后，将服务进一步延伸至制程仿真与量产前验证的布局。 泛铨表示，未来先进制程与先进封装开发节奏加快，客户对第三方分析服务的需求，可能从确认制程结果，进一步延伸到协助验证制程、提早发现问题。 泛铨将持续深化与国研院国仪中心的合作，结合低温至高温 ALD、类 FAB 验证与材料分析能力，拓展新材料、新制程及先进封装的前期研发验证服务。