中央消息

（中央社记者 张建中 新竹22日电）晶圆代工厂联电与爱普今天共同宣布展开技术与制造合作，推进人工智能（AI）与高性能计算（HPC）系统的供电解决方案。

联电表示，这次合作是结合联电的深沟槽电容（DTC）制程技术与可扩充的晶圆制造能力，以及爱普的硅电容设计与系统层级集成技术，共同因应下一代数据中心在电源效率方面的挑战。

联电指出，随着AI运算工作负载快速成长，运算系统对电源传输要求日益提高，推动数据中心电源架构从传统将稳压组件配置于电路板上，逐步转向将电容直接嵌入中介层或基板中。这创新架构可缩短电源传输路径、提升电源完整性，并支持先进封装内更有效率的电压调节。

联电资深副总经理洪圭钧说，联电提供完整的供电解决方案，包括DTC技术，可将高密度电容配置于更靠近运算芯片的位置，以达到更稳定芯片供电效果。联电通过与爱普合作，致力将可扩充的解决方案推向市场，以克服AI基础设施持续演进所带来的关键供电瓶颈。

爱普总经理洪志勋表示，采用DTC技术的客制化S-SiCap产品成功完成投片及初步晶圆验证。通过与联电的合作，爱普为客户提供从产品设计到晶圆制造的一站式解决方案。

联电指出，与爱普的合作，下一阶段将针对封装基板中的电容进行完整的系统级性能与可靠度测试，目标是支持不同的电容量与工作电压需求。双方也正探讨将合作拓展至其他包括硅中介层嵌入式电容及基板底面电容的产品线，以因应多元的系统设计需求。（编辑：张均懋）1151022

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