特斯拉首席执行官马斯克上周四(15日)称中国到2028年将生产海量内存芯片，引发半导体界对内存「超级周期」可能提前见顶的讨论。市场关注长鑫存储产能爬坡，会否在2028年与AI资本支出放缓叠加，反手压垮DRAM价格。

自10月11日起，马斯克接连发文称RAM短缺是AI瓶颈；12日指中国掌握技术后能大幅扩产；隔日又点名美光价格「合理」，但三星、SK海力士报价「高得离谱」。

苹果硬件工程高级副总裁特纳斯也表示，内存供应受限是「绝对危机」，正「考虑所有方案」，市场解读包含评估采用长鑫DRAM。

目前，长鑫DRAM月产能约20至25万片，年底破30万片。上海临港新厂今年Q4动工，合肥、北京新线接续扩充，预估2028年月产能达50万片，远期目标60万片，全球份额升至17%，跻身全球第三，对比三星约70万片、SK海力士约60万片。长鑫打算年底推出4F²架构服务器级DDR5，HBM3E进入小批量。

NAND方面，长江存储今年Q2全球NAND比特出货市占率达14%，超越铠侠居第三。技术代差上，DRAM中韩差距3至5年，NAND已减少至约1年。

本轮涨价逻辑是AI服务器吞噬DRAM，三大厂转产HBM与服务器DDR5，消费级出现缺口。瑞银预估，DRAM紧俏延至2028上半年；但摩根大通提醒，美国云巨头AI资本支出增速将从2026年约100%降至2028年7%。

南韩成均馆大学教授权锡俊则指出，决定韩厂营收的关键是云端巨头能否维持AI投资节奏。

短期来看，2026至2027年AI需求仍吸收中国添加产能，韩厂高溢价暂不受影响，但2028年是分水岭。若长鑫50万片落地，中低级DRAM定价权将松动，高端HBM、专利壁垒仍是韩美护城河。马斯克发言表面是买家喊降价，实则点破：当供给端不再只有三家，靠产能紧缩维持的超额利润窗口剩不到两年。