《路透社》上周三引述知情人士报导，南韩 SK 海力士(SK Hynix)(SKHY-US)正向美国政府寻求批准，希望能向中国出口美国制造的芯片生产设备，以提高当地产量，并将此作为在美国兴建工厂的条件。

川普政府正施压 SK 海力士、三星及其他外国芯片制造商，要求它们在美国设厂，以重建美国制造业产能并创造就业机会。

在全球内存芯片短缺、推升价格之际，SK 海力士旗下美国子公司 Solidigm 希望在中国大连的 SK 海力士厂区内，利用尚未使用的空间安装新设备，以生产 NAND 芯片。

NAND 闪存用于安装在数据中心的固态硬盘（SSD），这些数据中心支持人工智能（AI）与云端运算。

大连 NAND 厂使用来自主要美国半导体设备制造商的设备，包括科林研发(Lam Research)(LRCX-US)、应用材料（Applied Materials)(AMAT-US) 及KLA(KLAC-US)。

Solidigm 正寻求美国出口许可，以在大连增添设备，并将其在美国兴建新 NAND 工厂的计划与中国厂区链接。

SK 海力士在给《路透社》的声明中表示，「Mod B 的设备安装工作，正与美国政府密切协商，并在其授权下进行。」

该公司表示：「我们并未寻求扩大于 2023 年完工的大连 Mod B 产能。」

美国一直限制向中国出口芯片制造设备，试图减缓北京发展用于 AI 与军事用途的尖端半导体。华盛顿认为，这些技术对国家安全至关重要。

《路透社》上个月曾报导，Solidigm 正考虑在美国兴建 NAND 闪存芯片工厂。半导体制造厂在业界称为晶圆厂（fab），兴建一座晶圆厂需要数年时间，并投入数十亿美元。

其中一名知情人士表示，在中国提高产量将有助于 Solidigm 筹措资金，兴建美国 NAND 工厂，并为未来扩大美国本土生产提供过渡。

另一名消息人士表示，Solidigm 也在评估最快于明年进行IPO，借此筹集资金，协助为美国工厂提供融资。

中国大连厂区

TechInsights 内存产业专家 Walt Coon 表示，几年前 NAND 市场经历低迷后，如今已蓬勃发展，且预计未来几年仍将维持供应紧张。

他指出，自 2023 年年中以来，NAND 价格已上涨七倍。

去年，美国商务部撤销了先前授予 SK 海力士与三星的授权。这些授权原本让两家公司在中国晶圆厂使用美国设备时，无须另外申请许可。美国商务部将这些授权称为「拜登时代的漏洞」。

美国商务部随后表示，将核发出口许可，允许两家公司继续营运在中国的既有晶圆厂，但预期不会批准用于扩充产能或升级技术的设备许可。

去年 12 月，商务部核发了 SK 海力士大连厂区的 2026 年度许可，但对可取得的设备数量设下限制。

一名消息人士表示，SK 海力士的大连厂区内设有一处名为 Mod B 的晶圆厂空间，于 2023 年建成。由于当时内存市场低迷，设备建置工作并未完成。

其中两名消息人士表示，Mod B 内已有部分芯片制造设备，但仍有大量空间可供增设设备。

一名知情人士表示，美国商务部尚未核发 2027 年度的许可，允许在该厂区使用更多美国制造的设备与技术。该人士并指出，Solidigm 也已申请出口许可，希望为 Mod B 购买额外设备。

《路透社》上个月曾报导，SK 海力士另行与英特尔(INTC-US)洽谈，考虑租用英特尔位于俄亥俄州、规划已久的芯片制造设施部分空间。

SK 海力士是全球 NAND 闪存供应商中的第二大业者，排名仅次于三星电子。该公司也已在印第安纳州动工兴建一座先进封装工厂，专门生产高带宽内存（HBM）。

根据 Counterpoint Research，中国 NAND 闪存制造商长江存储于 2026 年第二季升至全球第三名。