外媒最新报导指出，南韩三星电子将打破长达数年的「一站式全包」生产模式，采用台积电的3纳米制程，为辉达下一代HBM制造基底裸片(base die)。

韩媒《首尔经济日报》今(18)日引述消息人士报导，辉达已向三星、SK海力士及美光三家供应商提出统一要求，基底裸片必须使用台积电3纳米工制成，内核裸片则统一采用第六代DRAM工艺(1c)，这一要求源于各供应商制造方案差异导致性能不稳，标准化可大幅减轻辉达的验证工作量。

报道指出，三星设备解决方案事业部经内部评估后，决定接受辉达要求。三星此次调整仅针对辉达客制化的HBM4E产品。对于标准版HBM及面向超微等其他客户的产品，三星仍将保留全包生产策略。

目前，三星已全球率先量产第六代HBM4，第七代HBM4E正进行量产验证，两款产品的基底裸片均采用三星自研4纳米制程。

值得注意的是，三星并未完全放弃自主生产能力。一位业内人士透露，三星正同步验证能否在自有产线制造辉达HBM基底裸片，作为防范台积电产能不足的备案，此举显示在AI芯片竞争白热化下，三星正以灵活策略平衡技术自主与客户需求。