三星在晶圆代工领域上正试图追赶台积电，不过韩媒《首尔经济日报》（Seoul Economic Daily）今（18）日最新报导指出，辉达（NVIDIA）为了自家产品的品质一致，已要求三星、SK海力士及美光，在辉达的客制化高带宽内存（NVHBM）上，使用台积电的3纳米制程制造基础晶粒。 报导指出，三星已决定将采用台积电的制程，生产辉达下一代客制化高带宽内存的内核，也就是基础晶粒。 目前三星供应的所有HBM产品，基础晶粒均由三星自行生产，「不过三星已决定接受辉达的技术要求」，调整原本由自身一手包办HBM制造的集成策略。 三星被抢生意？

辉达指定全给台积电来做 报导提到，据业界人士18日透露，辉达已要求三星电子、SK海力士（SK hynix）与美光（Micron）3家供应商，使用台积电的3纳米制程制造基础晶粒。 这3家公司都是辉达在8月公布的客制化NVHBM供应商；此外，辉达也要求3大厂，对于内核晶粒统一采用第6代DRAM、也就是1c制程；NVHBM则是以第7代技术为基础。 报导表示，辉达提出这项要求，是因为不同HBM供应商，各自制造基础晶粒的方式各异，导致虽然产品是同一套设计，却难以确保成品具有一致的性能；统一制程标准，也能减少辉达针对不同供应商分别进行产品验证的负担。 三星为何决定接受？

韩媒：同时也对未来做准备 报导透露，负责三星晶圆代工业务的「设备解决方案部门」（Device Solutions），在经过内部评估后，决定接受辉达的要求。 4年前三星就曾与台积电合作，确保HBM与绘图处理器（GPU）集成时，能够兼容于台积电的先进封装制程；不过这次是双方首次在HBM制造阶段就展开合作。 报导也提到，不过三星并未排除在NVHBM的开发、生产过程中，使用自家晶圆厂的可能性。 一名业界人士表示，「三星正在验证，是否也能通过自家晶圆代工厂生产NVHBM的基础晶粒」，这项安排是三星为了可能出现的产能问题预作准备，以防未来NVHBM需求，超出台积电的生产能力。 更多风传媒独家内幕： ‧ 联发科亮剑「挑战博通秘密武器」！

直击欧洲最大网通展 谢金河：这些台厂都来了 ‧ 台湾美光为何敢罢工？ 专家曝台湾员工「这件事」超强：谈判底气很大 ‧ 英特尔强势挑战先进封装！ 魏哲家亲曝台积电为何不怕：CoWoS仍是客户首选