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中央消息
（中央社首尔18日综合外电报导）韩国「首尔经济日报」今天报导，三星电子将采用台积电的3纳米制程，为辉达（Nvidia）下一代客制化高带宽内存（HBM）芯片制造基础晶粒（base die）。
根据「首尔经济日报」（Seoul Economic Daily），此举将是三星电子（Samsung Electronics）首次在HBM制造阶段与台积电合作。
「首尔经济日报」引述产业消息人士报导，辉达已要求三星、SK海力士（SK Hynix）及美光（Micron Technology）在NVHBM基础晶粒采用台积电制程，并在内核晶粒采用第6代DRAM技术。
根据辉达，8月发表的NVHBM将辉达客制化内存控制器集成进基础晶粒，旨在统一多家内存供应商的实作方式。
据报导，三星经过内部审查后同意辉达的要求，但仍计划以自有制造模式生产标准HBM，以及为其他客户量身打造的产品。
「首尔经济日报」引述一位不具名消息人士指出，三星也正在评估，若需求超出台积电产能，是否可由自家晶圆代工部门生产NVHBM基础晶粒。（编译： 陈正健 ）1151018
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