中国半导体设备业者朗道燧岩 (Langdao Silex) 在上海第 26 届中国国际工业博览会上，首次公开展示极紫外光 (EUV) 光源系统样机。据现场工作人员介绍，该系统国产化率达 90%，可用于芯片曝光测试，但距离量产仍需 3 至 5 年。

科技媒体《Wccftech》周四 (15 日) 报导这项进展。不过，EUV 光源只是先进微影设备的关键组件之一，样机亮相并不代表中国已具备完整 EUV 曝光机的商业量产能力，现阶段仍难据此判定艾司摩尔 (ASML-US) 的市场地位将受到实质撼动。

宣称系统国产化率达 90%，多数内核零组件自主研发

据《IT之家》周三 (14 日) 报导，朗道燧岩在本届工博会展示 EUV 光源系统样机。展会于 10 月 12 至 16 日在上海国家会展中心举行。

现场工作人员表示，展出光源系统的国产化率达 90%，绝大多数内核零组件为自主研发，采用与国际领先厂商相同的技术路线，可用于芯片曝光测试。

上述国产化比例与测试能力均为现场人员说法，相关报导未提供独立验证结果，也未说明国产化率的具体计算方式。

低功率产品规格曝光，须与展出样机分开看待

除了展出样机，《IT之家》另引述公司官网数据指出，朗道燧岩已列出低功率 EUV 光源系统 FlintNano LPP-OXXO，以及高功率 FlintMicro-LPP 系列等产品。

其中，低功率 FlintNano-LPP 系列已进入产品化阶段，高功率 FlintMicro-LPP 系列则已完成原理论证。相关报导未明确确认，展出样机是否就是 FlintNano LPP-OXXO，因此产品页规格不宜直接视为展出机台的实测成果。

依报导引述的公司规格，FlintNano LPP-OXXO 采用雷射产生电浆 (LPP) 技术，驱动雷射功率为 1,000 瓦，重复频率介于 1 至 20 kHz，转换效率超过 2%，EUV 输出功率超过 15 瓦，持续运转时间超过 100 小时。

其中，1,000 瓦指的是驱动雷射功率，并非 EUV 光的输出功率。上述数据为媒体引述的公司数据，并非第三方验证的性能结果。

光源量产估需 3 至 5 年，整机集成仍是难关

据现场工作人员估计，该 EUV 光源系统距离量产仍需 3 至 5 年，目前主要挑战在于提升输出功率与长期运转稳定性。这项时程针对光源系统，不能解读为完整 EUV 曝光机可在同一期间内量产。

ASML 官方技术数据显示，其 EUV 光源同样采用 LPP 技术，通过雷射照射高速移动的锡滴，产生发出 EUV 光的电浆。不过，采用相同技术路线，并不代表两者已具备相当的性能与可靠性。

完整 EUV 曝光机除了光源，还需要多层反射镜、光罩、真空系统，以及高精度晶圆载台等设备协同运作。从光源样机走向芯片工厂所需的长时间、高产能运转，仍须跨越光学、精密控制与系统集成等多项门槛。

朗道燧岩此次展示代表中国 EUV 光源研发的一项进展，但能否将原型转化为稳定、可量产的工业产品，以及进一步集成至完整微影系统，仍有待后续验证。