中国长鑫保存( 688825-CN ) 宣称，将于年底前推出采用4F²记忆单元设计的DDR5 RDIMM，记忆单元面积缩小约三分之一。不过，瑞穗科技、媒体与电信（TMT）产业专家Jordan Klein表示，这项消息并未改变美光科技( MU-US ) 、SanDisk ( SNDKV-US ) 、SK海力士( 000660KS ) 或三星电子( 005930KS ) 投资人的短期投资判断。

Klein在致客户报告中写道：「如果我持有美光、SanDisk、SK海力士或三星，不会因为长鑫高层昨天谈到新一代先进DDR5设计蓝图，就抛售持股或陷入恐慌。在我看来，这并未改变短期局势。这件事值得密切追踪，但也仅止于此。」

长鑫这项技术蓝图的内核，是结合4F²记忆单元架构与垂直环绕闸极晶体管的DDR5 RDIMM，目标于2026年底前推出产品。

根据瑞穗对长鑫说法的整理，这款记忆单元的面积，将比目前DDR5采用的6F²设计缩小约三分之一。

Klein提出七项理由，说明这项消息为何远不足以构成竞争威胁。其中最关键的是时程比较基准不同：据报导，三星同类4F² DRAM技术的量产目标为2028年，长鑫则宣称将于2026年底前推出产品。

Klein认为，这两项里程碑无法直接比较。他写道：「年底推出产品，不能直接拿来与外界报导的三星2028年量产目标相比。产品亮相，并不代表制造成熟度、良率或成本竞争力已获得验证。」

对于令部分内存投资人不安的供给过剩疑虑，Klein同样抱持怀疑态度。他指出：「长鑫尚未证明其4F²产品已成功量产，也未提供经验证的良率与性能，因此现在就认定供给即将过剩，还言之过早。」

长鑫尚未公布这款4F²服务器RDIMM的完整规格、经验证的良率、客户认证结果，或商业规模的出货承诺。

Klein也反驳记忆单元面积缩小就必然降低芯片成本的假设，指出制程复杂度、良率与集成等因素，都会影响最终成本，而长鑫尚未证明在这些方面已具备与竞争对手相当的实力。

他进一步强调，这款产品属于传统服务器DRAM，并非高带宽内存（HBM）。HBM采用堆栈式内存架构，是以GPU与ASIC为内核的AI加速器机柜的重要组成部分。

这项差异意味着，长鑫短期内对AI运算基础建设扩张的影响有限，而这波建设热潮正是推升主要内存供应商估值溢价的动力。

值得注意的是，布局4F²技术并非中国独有。瑞穗指出，三星与SK海力士也在推进类似的DDR5 4F²设计，意味着这项技术是整个产业的转型方向，而非中国独有的突破。

据称，Digitimes一篇被Klein形容为「较为平衡」的报导，也对长鑫宣称的技术进展泼了冷水，进一步支持他的审慎看法。

不过，Klein并未全盘否定长鑫的长期竞争潜力。他写道：「不能轻忽长鑫，也不能轻忽其NAND同业长江存储（YMTC），我也没有这么做。」他并补充，长鑫正积极投资，以向中国国内客户供应传统DRAM及更先进的内存。