全球内存股近期持续遭到抛售，尽管内存产业基本面依然强劲，但韩股补跌、三星与SK海力士大规模股票回购结束，以及中国长鑫科技DRAM技术突破，三大利空正加剧市场对内存获利见顶的担忧。

美光科技( MU-US ) 与SanDisk( SNDKV-US ) 周一(12日)分别下跌3.88%及5.97%，过去七个交易日有六日收黑，美光股价更较6月高点回落近20%，濒临技术性熊市。

高盛欧洲、中东及非洲（EMEA）交易主管Rich Privorotsky指出，内存仍是这波市场震荡的内核。即使近期产业基本面表现亮眼，投资人对获利可能触顶的担忧，正持续压抑相关股票估值。

利空一：韩股补跌 外资大举撤出半导体股

韩国股市周一遭遇沉重卖压，( KOSPI ) 大跌3.65%，收在6384.2点，逼近6376点的200日均线支撑。科技股比重较高的KOSDAQ指数( KOSDAQ ) 重挫4.8%，韩国半导体指数KRXSEMI下跌5.2%，三星电子( 005930KS ) 与SK海力士( 000660KS ) 股价均下挫约4.5%。

高盛首尔交易台指出，韩股当天从开盘起便呈现单边下跌走势，主要因韩国市场结束韩文日假期后，必须消化美国芯片股先前两个交易日的跌幅。

资金流向同样反映市场压力。外资连续第五个交易日净卖出韩股，单日科技股净卖出金额达13亿美元，其中SK海力士遭抛售7.82亿美元，三星遭卖出4.15亿美元。

尽管韩国散户逆势承接，单日净买进三星股票达7.1亿美元，但高盛指出，散户买盘规模已呈现下降趋势。

市场分析认为，韩国半导体股在内存上行周期率先领涨，如今也可能在周期反转时率先走弱，成为观察全球内存行情的重要指针。

利空二：400亿美元回购提前结束 韩股失去支撑

除了外资持续撤出，三星与SK海力士大规模股票回购计划提前结束，也让韩国半导体股失去重要买盘支撑。

根据先前报导，三星与SK海力士合计约55兆韩元（约400亿美元）、创韩国史上最大规模的股票回购计划，已提前数周结束，其中三星回购计划于10月6日实际终止。

失去企业回购支撑后，KOSPI在三个交易日内累计下跌约8%，目前较6月22日历史高点回落约30%，SK海力士跌幅更达45%。

随着企业回购买盘退场，加上外资持续卖超，韩国半导体股面临的市场压力进一步加剧。

利空三：长鑫DRAM技术突破 2028年供需恐生变

除了韩股补跌与回购结束，来自中国的技术进展，也成为这波内存股抛售的重要催化剂。

据《上海证券报》报导，长鑫科技( 688825-CN ) 总裁曹堪宇在10月9日至10日举行的第四届集成电路与晶粒大会上宣布，公司已在4F²新一代DRAM架构研发取得关键进展，预计年底推出结合4F²架构与混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM产品，直接切入服务器内存市场。

目前DRAM产业主流采用6F²架构，也就是每个内存单元占据相当于最小特征尺寸平方六倍的面积。

相较之下，4F²架构可将单元面积缩小约三分之一，理论上能在相同晶圆面积与制程节点下，将内存密度提高约50%。

长鑫的技术内核在于自主研发的垂直环绕闸极（VSG）晶体管，通过垂直结构改善闸极控制能力，同时降低漏电及短信道效应，进一步缩小内存单元面积。

此外，长鑫也通过晶圆级混合键合技术，将DRAM与CMOS制程分离后重新集成，推动DRAM技术从平面微缩走向三维集成。

根据相关数据，长鑫自成立以来便展开4F²技术研究及专利布局，公开专利族已超过300件，并于2021年、2023年及2025年陆续揭露研发成果。

相较之下，SK海力士直到2025年才公布4F²技术路线图。韩媒《The Elec》报导，三星则计划于2028年实现采用该架构的10纳米以下DRAM量产。

若长鑫能在今年底如期推出4F² DDR5 RDIMM产品，意味其在内存单元架构的产品推出时程上，可能领先韩国两大厂约两年。

这也让投资人开始重新评估未来中国内存产能扩张，可能对全球供需与价格带来的影响。

财报越亮眼股价越跌 市场担忧获利见顶

值得注意的是，这波内存股下跌并非因为当前产业基本面明显恶化，而是投资人开始担忧，市场已充分反映内存价格上涨与企业获利成长的利多。

以台湾南亚科( 2408-TW ) 技为例，高盛台北交易台形容其第三季业绩是「又一个惊人的季度」。

南亚科技第三季营收达新台币1336亿元，季增62%、年增612%，毛利率达85.7%，较前一季提高6.2个百分点。管理层并预期，2027年合约价格仍有机会维持两位数涨幅，毛利率保持80%以上也有望实现。

然而，高盛台北交易台指出，近期市场缺乏足以推动内存股估值进一步上修的催化剂。

三星第三季营业利益成长近9倍，原本应有助于带动内存股行情，结果市场却出现抛售，凸显投资人对未来获利成长的要求已相当高。

高盛Prime Book数据显示，上周美国信息技术类股从先前五周中有四周位居净买超最多的板块，转为净卖超最多的板块，卖出速度更创七周最快。

其中，科技硬件、内存与周边设备，以及半导体类股，是资金撤出最集中的领域。

内存涨势到头了？市场紧盯2027至2028年

目前内存市场最重要的变化，在于投资人关注的时间点已从眼前的获利成长，转向2027年至2028年的供需前景。

随着中国内存产能持续扩张，以及韩国新晶圆厂陆续投产，市场开始担心，目前供不应求的局面可能逐渐逆转。

资产管理公司Pictet的Jon Withaar指出，内存股已逐渐转变为价值股，以当前获利衡量，估值看似便宜，但散户与短线避险基金追逐的是成长，而不是价值。

高盛韩国研究团队也将三星10月29日财报电话会议视为重要观察时点，并把三星是否会像美光一样，明确表态2028年内存供应仍将紧张，列为六大关注议题之首。

另一方面，宏碁首席执行官陈俊圣先前曾表示，供应短缺问题已完全消失，并预期内存价格可能在2027年中左右见顶。

宏碁( 2353-TW ) 、惠普惠普( HPQ-US ) 与华硕( 2357-TW ) 目前也已在部分PC产品采用长鑫内存芯片。

此外，据报导，ASML正向韩国客户调涨备品价格约10%，三星与SK海力士已接受涨价，预计2027年1月起生效。

本周迎半导体财报 关注行情能否止跌

接下来，市场将迎来多项可能左右半导体股走势的重要事件，包括ASML周三公布财报、台积电( 2330-TW ) 周四发布业绩，以及SEMICON West展会登场。

这些事件将为投资人提供新的产业需求与资本支出线索。

整体而言，内存产业眼前仍享有强劲获利与价格支撑，但市场已不再只关注当前供应吃紧的程度，而是开始衡量未来添加产能可能带来的冲击。

这波内存股修正的内核，不是当前业绩不佳，而是投资人担心获利高峰可能比预期更早到来。当股价已充分反映景气上行利多，2027年至2028年的供需变化，正成为决定内存股后续走势的关键。