DRAM大厂南亚科(2408-TW)总经理李培瑛今(12)日于法说会表示，林口5A新厂预计明年第一季开始装机、2028年底月投片量达3万片、2030年底提升至5万片，并将在屏东科学园区建置3D晶圆封装与测试厂，预计2028年年底前导入硅穿孔(TSV)、晶圆堆栈等3D IC先进技术。

李培瑛表示，未来扩建将以客户长期合约中的AI项目为主要目标，林口5A新厂涵盖厂房硬件、EUV曝光机及其他设备，整体投资金额预估接近4800亿元，公司明年资本支出预期将较今年增加，以目前净现金约2700亿元，加上现金持续累积，预期明年资本支出可由自有资金支应，无须通过贷款筹措。

至于屏东科学园区布局3D晶圆封装与测试厂，李培瑛指出，相关研发工作先在北部进行，并配置部分工程师及设备工程师，未来屏科将以生产为主，目前先进封装相关人员大部分已到位，生产制造人力仍在规划中，以因应未来新厂及先进封装制程的发展需求。

至于先进封装对毛利率的影响，李培瑛表示，仍须视整体供需、市场应用发展及客户对价格的接受程度而定，虽有提升毛利率的机会，但并非保证。

制程技术方面，南亚科第三代10纳米级制程(1C)预计2027年第一季开始客户验证，同步开发的第四代(1D)、第五代(1E)制程及EUV技术也持续按计划推进。未来将通过技术开发、产能扩充及先进封装与测试集成，深化与客户合作，积极布局AI应用。