中央消息

（中央社记者 张建中 新竹12日电）动态随机访问内存（DRAM）厂南亚科总经理李培瑛今天表示，DRAM仍非常缺货，第4季产品价格可望持续上涨，毛利率也有机会持续攀升。

南亚科今天召开在线法人说明会，公布第3季营运结果。受惠动态随机访问内存（DRAM）平均售价季增超过60%，因库存已去化差不多，第3季销售量季减4%至6%，季营收达到新台币1336.49亿元，季增61.9%。

南亚科第3季毛利率85.7%，较第2季上扬6.2个百分点，税后净利876.27亿元，每股纯益25.4元。南亚科前9月税后净利1638.77亿元，每股纯益49.28元。

李培瑛说，因为有长期合约于6月底截止，7月开始进入新合约价，是第3季毛利率较第2季大幅提升的主因。由于目前DRAM仍非常缺货，第4季产品价格可望持续上涨，涨幅依产品别不同，第4季毛利率有机会持续攀升。

李培瑛表示，AI应用持续扩大，推升更高容量、带宽及客制化内存需求；此外，对DRAM需求也自高带宽内存（HBM）扩展至网络、保存和系统管理等应用。在供给遭到压缩下，传统应用市场内存也供不应求。

李培瑛指出，南亚科包括服务器、网络、保存和系统管理等AI基础设施市场营收比重超过20%，预期未来AI基础设施相关营收比重可望进一步攀升。

至于DDR5产品营收比重，李培瑛说，目前DDR5营收比重约在10%上下，因客户对DDR4需求仍非常强劲，短期并无大幅调高DDR5营收比重计划，未来将依客户需求弹性调整产品组合。

至于5A新厂进展，李培瑛表示，新厂预计2027年第1季开始装机，预计2028年年底达到月投片量3万片，2030年年底达到月投片量5万片规模。

针对制程技术推进计划，李培瑛指出，第3代10纳米级制程（1C）预计2027年第1季开始客户验证，同步开发的第4代（1D）、第5代（1E）制程及极紫外光（EUV），均持续按计划推进。

李培瑛说，南亚科长期合约覆盖率约介于50%至70%，部分合约是3个月，部分是3年，很多客户希望把3个月合约拉长到3年甚至更长，目前协商中。此外，有部分客户希望通过入股南亚科以确保产能，持续协商。

随着新厂开始装机，李培瑛表示，明年资本支出将会较今年增加，目前南亚科净现金达新台币2700亿元，且会持续累积增加，自有资金应可足以支应明年资本支出。（编辑：张良知）1151012

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