中国内存制造商长鑫存储加速布局服务器内存市场，并将推出新一代DRAM架构。长鑫科技( 688825-CN ) 内核子公司长鑫存储总裁曹堪宇周六（10日）表示，公司预计年底推出采用4F²架构的新一代DDR5 RDIMM产品，通过缩小内存单元面积、提高保存密度，突破现有DRAM制程瓶颈。

根据陆媒报导，曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上介绍，4F²架构的一项关键创新，是采用垂直环绕闸极（VSG）晶体管结构，借由改善闸极控制能力，降低漏电与短信道效应，同时利用垂直配置缩小晶体管占用面积，进一步提高内存保存密度。

DRAM产业正持续追求更高的保存密度，目前主流架构为6F²，其中F代表制程中的最小特征尺寸。相较之下，4F²架构可将单一内存保存单元的面积缩小，有助于在相同面积内配置更多保存单元，提升芯片容量。

从6F²转向4F²，不只是缩小晶体管，更涉及整体制程架构的调整。 早期的4F²设计主要着重于2D晶体管布局，内存数组与周边逻辑电路必须共用微影及掺杂制程条件，限制了性能表现，未能超越6F²架构。

随着6F²架构持续微缩的难度提高，业界开始推动4F²朝3D架构发展，通过将DRAM与CMOS制程分离，并采用晶圆级混合键合技术实现高速互连，让逻辑电路性能与内存单元密度得以分别优化，降低既有制程限制。

曹堪宇并透露，长鑫存储在4F²架构相关技术上的公开专利族已超过300件，数量居业界领先地位。

长鑫存储此次选择DDR5 RDIMM作为4F²架构的首代产品，也反映公司正积极拓展服务器内存市场。

过去，海外内存厂商在服务器市场占据优势，长鑫存储的下游应用则较偏重消费性电子产品。相较于消费级内存着重运算速度，服务器内存还必须满足长时间、不间断运作的需求，技术与工程门槛相对较高。

长鑫科技总经理赵纶9月在业绩说明会上表示，公司上半年持续拓展服务器领域业务，相关产品的营收贡献已经增加。

随着4F²架构产品预计年底问世，长鑫存储将进一步把新技术导入服务器内存领域，尝试突破既有市场格局。

除了4F²架构，长鑫科技近期也持续更新DRAM技术布局。

长鑫科技8月底宣布，最新一代低功耗内存LPDDR6已进入量产，成为业界较早量产LPDDR6的厂商之一。

9月，长鑫存储又在世界制造业大会上宣布，第五代DRAM技术平台（G5）实现量产，制程水准已接近全球顶尖的内存量产平台。

根据市场研究机构Counterpoint数据，以全球DRAM厂商营收计算，长鑫科技2026年第二季市占率为7%，排名全球第四。