南韩GF证券分析师Jeff Pu出具最新研报指出，辉达可能在2028年下半年于部分后端环节采用英特尔Foveros先进封装，但目前尚无任何合约或具体产品定案，属市场推测。英特尔先进封装组合已涵盖EMIB、Foveros、Foveros Direct等，并对外争取AI客户。

但此一说法呼应《DigiTimes》今年1月爆料称辉达未来Feynman系列GPU主体仍交台积电先进制程，配套I/O或非内核裸片可评估英特尔18A、14A，后端再由其封装。

英特尔14A预计2028年下半年高容量量产，时程与Foveros推进吻合。

技术上，EMIB以嵌入式硅桥横向连接芯粒，EMIB-T加硅通孔做垂直供电与信号；Foveros更进一步把运算裸片垂直堆栈于基底，缩小封装面积、缩短互连，有利带宽与能效。

对辉达而言，引入英特尔封装可分散对台积电CoWoS等产能的依赖，缓解AI加速器需求高峰下的瓶颈；对英特尔而言，即便仅拿到Feynman后端或少量非内核订单，重点也不在即时超越先进前段制程，而是完成Foveros大规模工业验证、切入数据中心AI供应链。