艾司摩尔(ASML)(ASML-US)与其光学合作伙伴蔡司(Carl Zeiss)的工程师在一篇经过同行评审的论文中表示，ASML现有最先进芯片制造设备的后继技术，可能在约10年内准备就绪。

论文指出，这项名为「Hyper NA」的设备将能制作更微小的电路，同时重复利用两家公司现有的大部分技术，但仍有一些挑战需要克服。

ASML是欧洲市值最高的公司，这要归功于其在微影设备市场的独占地位。这类设备利用极紫外光(EUV)在芯片上制作微小电路，供人工智能芯片使用。

刊登于10月号《Journal of Micro/Nanopatterning, Materials and Metrology》期刊的论文指出，Hyper NA能制作尺寸小至5纳米的特征，比ASML目前的「High NA」EUV设备所能制作的特征尺寸缩小超过三分之一。

尽管芯片制造商正通过3D设计改善芯片性能，更小的特征尺寸仍是提升速度、降低功耗的关键，而微影技术则是其中一项限制因素。

在芯片制造商当中，英特尔(Intel)(INTC-US)已开始在生产中使用High NA。上个月，三星(Samsung)与SK海力士(SK Hynix)表示将于2028年跟进，台积电(2330-TW)(TSM-US)则预计在2030年导入。

论文指出，蔡司目前已能制造精度足以用于Hyper NA的反射镜，而这套设备的体积只会比High NA设备略大。High NA设备目前的尺寸已相当于一辆双层巴士。

作者表示，超越Hyper NA之后，相关设备可能需要使用波长更短的光，而这仍属于学术研究的范畴。

作者指出，ASML目前的光源「可以原样重复使用」于Hyper NA。论文另在注释中提到，若采用自由电子雷射的替代技术，也不会改变照明系统的设计。

这些说法与美国新创公司xLight和Substrate有关。xLight正在开发自由电子雷射光源。马斯克曾暗示，他可能偏好在德州的Terafab芯片工厂采用这种技术。Substrate则正在开发X光微影技术。