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應材攜手英特爾 加速晶片製造技術創新

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TL;DR · 這代表什麼

應材(AMAT-US)今(7)日宣布與英特爾(INTC-US)攜手合作,加速新一代電晶體、互連與先進封裝技術的晶片製造創新。此次合作將結合應材位於矽谷的設備與製程創新暨商業化(EPIC)中心,與英特爾位於奧勒岡州希爾斯伯勒(Hillsboro)研發園區的領先技術能力,縮短支援 AI 運算所需先進半導體技術的上市時程。

(摘自原文導言,非改寫)

新聞正文

應材(AMAT-US)今(7)日宣布與英特爾(INTC-US)攜手合作,加速新一代電晶體、互連與先進封裝技術的晶片製造創新。此次合作將結合應材位於矽谷的設備與製程創新暨商業化(EPIC)中心,與英特爾位於奧勒岡州希爾斯伯勒(Hillsboro)研發園區的領先技術能力,縮短支援 AI 運算所需先進半導體技術的上市時程。

應用材料總裁暨執行長蓋瑞.迪克森(Gary Dickerson)表示,應材與英特爾擁有數十年深厚的合作關係,雙方持續突破材料工程的技術極限,共同推進半導體技術藍圖。透過雙方團隊在 EPIC 中心攜手合作,我們將進一步深化夥伴關係,加速電晶體、互連與封裝技術創新,推動 AI 運算的未來發展。

英特爾執行長陳立武(Lip-Bu Tan)表示,AI 運算需求帶動產業對效能、能源效率與封裝技術重大突破的需求。英特爾致力於推動這些創新,並與生態系夥伴緊密協作。應用材料公司是我們重要的合作夥伴,期待在 EPIC 中心進一步擴展雙方合作,加速先進技術從實驗室研發走向在美國量產的進程。

應材與英特爾的團隊正針對 AI 工作負載所需的先進邏輯製程節點,共同開發新一代材料、製程技術及元件架構,並將在 EPIC 中心持續推進相關工作。雙方的合作涵蓋前段製程與後段製程的技術創新,包括互連微縮技術。此外,雙方也將共同開發應用於 Foveros 3D 堆疊的先進封裝技術,以實現更高的互連密度、更佳的供電能力與散熱效能,支援專為新興代理式 AI 工作負載所打造的高效能運算平台。

應用材料公司半導體產品事業群總裁帕布‧若傑(Prabu Raja)博士表示,隨著每一個製程節點的晶片製造技術藍圖日益複雜,要加速半導體元件、互連與封裝技術創新,需要研發與製造領域間更緊密的合作。我們期待與身為 EPIC 中心創始合作夥伴的英特爾密切合作,縮短技術開發週期,並加速新技術導入市場。

英特爾執行副總裁暨技術與營運長、Intel Foundry 總經理 Naga Chandrasekaran 表示,隨著 AI 基礎設施快速擴建,加速研發以跟上發展步伐,對於提供客戶期待 Intel Foundry 所具備的技術、製造卓越性及晶圓代工服務至關重要。應用材料公司全新的 EPIC 中心提供了一個讓雙方團隊能夠更緊密、更高速協作的環境,加速材料開發與製程創新。

引用級事實單元(F-Units)

應材(AMAT-US)今(7)日宣布與英特爾(INTC-US)攜手合作,加速新一代電晶體、互連與先進封裝技術的晶片製造創新。

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此外,雙方也將共同開發應用於 Foveros 3D 堆疊的先進封裝技術,以實現更高的互連密度、更佳的供電能力與散熱效能,支援專為新興代理式 AI 工作負載所打造的高效能運算平台。

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常見問題(FAQ)

這則新聞的重點是什麼?

應材(AMAT-US)今(7)日宣布與英特爾(INTC-US)攜手合作,加速新一代電晶體、互連與先進封裝技術的晶片製造創新。此次合作將結合應材位於矽谷的設備與製程創新暨商業化(EPIC)中心,與英特爾位於奧勒岡州希爾斯伯勒(Hillsboro)研發園區的領先技術能力,縮短支援 AI 運算所需先進半導體技術的上市時程。

原文提到哪些關鍵數字?

此外,雙方也將共同開發應用於 Foveros 3D 堆疊的先進封裝技術,以實現更高的互連密度、更佳的供電能力與散熱效能,支援專為新興代理式 AI 工作負載所打造的高效能運算平台。

這則新聞的原始出處與發布時間?

原始出處:鉅亨網(https://news.cnyes.com/news/id/6623619)。原文發布時間:2026-10-07。