外媒最新报导指出，中国大陆半导体制造企业在美国与荷兰出口管制下，仍以个案审批、既有库存与国产研发「两条腿走路」推进光刻能力。

综合美国智库报告、《南华早报》及《日经亚洲》相关报导，外界估算中国目前取得的浸没式深紫外(DUV)光刻机合计约343台，其中约270台为艾司摩尔(ASML)Twinscan NXT:1980i，这批设备虽非极紫外(EUV)，但配合多重曝光已可支撑7纳米逻辑、先进内存与AI加速器量产，并为中国国产整机研发争取缓冲期。

根据华府智库「技术与中国国家安全中心」(CTS)报告，截至今年初，中国晶圆厂通过管制缺口取得共343台浸没式DUV，其中艾司摩尔 NXT:1980i约270台。

2024年，中国花费超过130亿美元采购90台NXT:1980i，2025年再增购89台，其余为更早取得或其他合规型号。荷兰自2019年起应美国要求禁售EUV，但NXT:1980i等较先进浸没式机型初期仍得以个案审批出口；CTS认为，这是中国得以持续扩充中高端产能的关键。

浸没式DUV在镜头与晶圆间注水提升折射率，分辨率低于EUV但高于干式DUV；通过多重曝光重叠线路层，可用于7纳米级逻辑、高端NAND/DRAM及AI芯片。

报告指出，华为升腾等加速器即依此路线量产。CTS预测，若中国每年维持引进90台NXT:1980i，至2035年年产辉达H100等级AI芯片可达4.34亿颗。若自2027年起全面切断新机进口，同等级产能将降至约1.53亿颗。

美国商务部出口管制官员Nicholas Brown与白宫前技术政策顾问Saif Khan因此在报告中呼吁，对浸没式DUV、低温蚀刻等一并实施全面封锁。

美国国会今年4月提出《MATCH法案》，要求荷兰、日本等盟国150天内扩大对中国设备限制，范围由EUV延伸至先进DUV与部分蚀刻、量测设备。报告显示，华府正把管制重心由「禁止最先进」转向「堵中国先进」。

《日经亚洲》亦报导指出，中国企业确实全力投入国产光刻，但短期仍须依赖ASML成熟机台。光刻机并非单一零件，而是光源、物镜、工件台、浸润、计算光刻与控制软件的系统工程。193纳米浸没式需ArF光源、高精度投影物镜、双工件台与水膜稳定；EUV更涉及13.5纳米雷射等离子光源、真空反射镜组与极复杂计算光刻。

国际半导体微影技术与计算光学领域享誉盛名的Andreas Erdmann曾说，机械、电子、化学、数学与计算必须协同，才有机会让整机稳定运行，这也是全球仅ASML、尼康、佳能具整机能力的原因。

ASML优势在集成全球顶级供应链，而尼康、佳能较多自研自产，却未完全接轨国际分工，先进度被拉开。

中国早期干式DUV最高约90纳米，而2024年工信部公告新型干式DUV，镜头分辨率达65纳米，今年王阳元、陈南翔等产业报告则指出，中国国产浸没式DUV已完成研发并进入测试；另有外媒称中国在政府支持下自行组装DUV系统，去年底曾传EUV原型机，引发全球芯片股波动，但相关进度尚未获独立量产验证。

日本专家指出，既有的ASML库存让中国晶圆厂维持产能与现金流，同时在光源、物镜、工件台、计算光刻各子系统分头攻关；「能造整机」与「可替代ASML量产」是两回事，良率、产能、稳定运行与软件生态仍需年限。

ASML财报曾显示中国一度占其营收约41%，随着管制收紧，公司预期2026年中国占比降至约两成。

中国策略是合规采购DUV保产能、自研整机保长期：先以NXT:1980i与其他浸没机支持7纳米与保存扩产，再以国产干式、浸没式逐步切入成熟与中阶先进线。

除光刻机外，美国分析师称中国在蚀刻、沉积、清洗、量测等大多设备领域进步明显。中微、北方华创、盛美、拓荆、华海清科、中科飞测等已进入部分产线；日本设备业者担心，若中国光刻突破，材料、沉积、量测将连带国产化，冲击东京电子、Screen等出口。

南韩媒体亦报导指出，三星、SK海力士因美国限制其在中国的合资厂采购先进设备，已评估采用中微等中国蚀刻与部分制程设备，显示替代由「非光刻」向更广设备圈扩散。

整体来看，343台浸没式DUV与持续采购，使中国在中长期AI芯片、7纳米逻辑与先进保存上具中端自主能力；若美国推动DUV全面封锁，2027年后添加产能将受抑，但存量机台、多重曝光与国产机试制可维持基本盘。中国国产光刻机的变量不在理论路线，而在整机稳定性、产出吞吐量、缺陷密度与供应链协同。

分析人士认为，美国出口管制短期拖慢中国先进化，长期却把中国市场让给本土设备商，加速全链替代；若中国国产浸没式量产、EUV原型转商用，ASML垄断溢价与全球芯片定价逻辑都可能重估。半导体设备竞争正由「卖机台」转为「系统集成与产能自主」的持久战。