中央消息

（中央社记者 陈至中 台北2日电）台湾师范大学研究团队，通过原子级堆栈工程，成功制出具有特殊「1H堆栈」结构的双层二硫化钼，突破双层二维半导体长期面临的光电应用限制，登上国际顶级期刊Nature（自然）。

台师大今天发布新闻稿指出，由物理学系教授蓝彦文、陆亭桦、台师大博士杨弘伟，以及成功大学内核设施中心博士林光仪等团队合作，10月1日将论文正式刊登于Nature，获得国际学界重视。

研究团队指出，二硫化钼（MoS2）是次世代电子与光电组件的重要候选材料。单层二硫化钼具有「直接能隙」，能够有效产生与发射光。

然而当材料增加到双层时，一般的2H或3R堆栈会因层间耦合改变能带结构，使材料转变为「间接能隙」半导体，限制了双层材料在发光组件、光侦测器、谷电子学等领域的应用。

研究团队的关键突破，在于发展出两阶段CVD（化学气相沉积）成长策略，利用快速淬火抑制晶格在成长过程中的重新排列，让第二层二硫化钼在第一层上方以原子精准对位的方式直接成长，形成过去极难稳定取得的1H堆栈结构。

蓝彦文表示，这项研究证实，通过控制原子堆栈方式，可以重新设计材料的能带结构，让双层二硫化钼同时保有双层材料的优势，以及直接能隙、谷极化等光学功能。为科学界提供一个非常直接的材料设计策略。

陆亭桦表示，团队创建可重复的直接CVD成长方法，而非依赖机械折叠或人工堆栈。也让原本多被视为基础物理问题的「堆栈方式」，成为可以被制程控制、并用来设计组件功能的重要工程参数。（编辑：李锡璋）1151002

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