近期市场一度担忧，内存厂第三季财报恐因均价（ASP）涨幅无法达到共识而「不如预期」，不过美银全球研究部科技产业分析团队最新出炉的通路调查结果，打脸了这股悲观情绪。 报告指出，第三季 DRAM 均价季增幅度可望达到 21%，明显优于市场调查机构 TrendForce 所预估的一致水准。 美银团队通过最新的产业通路访查，归纳出五项关键观察，认为第三季 DRAM 价格会比市场预期涨更多。 首先，服务器用 DRAM 的涨势超预期。 在高速 LPDDR5 带动下，价格季增幅度落在 20% 至 30% 之间，高于市场原先预期的「20% 以内」水准。

其次，现货市场需求全面回温，不只主流的 DDR5，就连已属老旧规格的 DDR4 现货需求同样强劲，7 月价格持续走高。 第三，高端市场出现产品结构升级，客户下单重心正从性价比较高的 HBM3E，转向单价更贵的 HBM4，进一步垫高整体均价。 第四，长期合约（LTA）的议价保护效果正在减弱。 目前以长约模式销售的 DRAM 占整体销量比重已跌破五成，非长约比重反而攀升至 60% 到 70%；即便是受长约保障的订单，价格也普遍出现 5% 至 10% 的季增。 第五，部分终端原厂因库存吃紧而紧急追加订单，此举间接证实了标准型 DRAM 与 NAND 的季增幅度双双超过 20%。

美银估值 vs. 市场共识 三季转趋乐观比较美银与 TrendForce 的预测可以发现分歧所在。 DRAMTrendForce 预估，今年第三季传统 DRAM 平均售价将较前一季上涨 13% 至 18%，若将 HBM（高带宽内存）纳入计算，整体 DRAM 平均售价涨幅则为 8% 至 13%。 相较之下，美银对第三季看法更为乐观，预估全球 DRAM 平均售价将季增 21%，高于 TrendForce 的预测；第二季则估计上涨 45% 至 50%，略低于 TrendForce，第四季则预估仍可维持高个位数百分比的季增幅。

NANDTrendForce 预估第三季平均售价将季增 10% 至 15%，第四季涨幅将放缓至 0% 至 5%；第二季价格则季增 55% 至 60%，但已较先前预测略为下修。 美银则预估，全球 NAND 平均售价第二季约季增 65%，高于 TrendForce 的估计；第三季可望再上涨 15%，第四季则大致持平。 现货市场：DRAM 连涨八周 价格站上历史异常高档DRAM 现货价格已连续八周上扬，与二、三个月前市场普遍看衰「35 至 40 美元将是天花板」的悲观气氛完全反转。

过去部分品牌厂因不堪现货价格过高（当时采购成本约仅 5 美元）而一度减产 PC、平板与手机借此对抗涨势，如今态度已转为积极回补库存，为即将到来的 9 月及第四季销售旺季超前部署。 不过报告也提醒，现货交易量仅占全球供应的低个位数百分比，性质上更接近品牌厂的紧急追单，而非市场主流交易模式。 尽管如此，当前 DDR5 与 DDR4 现货走势，仍指向三季合约价季增约 20% 的方向。 NAND 现货同步出现价格修复信号，本周 1Tb 晶圆报价周增 4%，被视为三季 NAND 均价有机会挑战突破 10% 涨幅的正面指针。

报告另外提到，日系内存厂二季均价表现弱于全球平均，但随着 7 月现货与合约价同步走扬，目前研判其三季财报不如预期仍为时过早。

主要现货价格一览（截至最新周度）品项：16Gb DDR5，单价（美元）：49.2，周增：+3%，季增：+28%，年增：+712%品项：16Gb DDR4，单价（美元）：80.1，周增：+3%，季增：+16%，年增：+829%品项：8Gb DDR4，单价（美元）：39.9，周增：+6%，季增：+21%，年增：+685%品项：4Gb DDR4，单价（美元）：12.9，周增：+4%，季增：+81%，年增：+426%品项：1Tb NAND 晶圆，单价（美元）：25.1，周增：+4%，季增：-3%，年增：+397%品项：512Gb NAND 晶圆，单价（美元）：19.2，周增：-1%，季增：-9%，年增：+617%AI 需求没有降温：台积电、ASML 法说释利多 间接带旺内存需求台积电 ( 2330-TW ) 第二季财报表现亮眼，营收达 400 亿美元，年增 34%，营业利益率 60%、毛利率 68%；法人说明会上，公司发布三季营收年增 46% 的乐观展望，全年营收增速估达约 40% 左右，2 纳米制程量产进度顺利。

资本支出方面，台积电将 2026 年全年资本开支上调至 600 亿至 640 亿美元，另加码 1000 亿美元投入美国厂区建设，双双创下历史新高纪录。 报告指出，台积电客户端的 AI 芯片厂商对更先进的 HBM、SOCAMM（小外形压缩内存模块）以及企业级 SSD 需求殷切，将持续为高端内存需求添加动能。 半导体设备龙头艾司摩尔 ( ASML-US ) 同样缴出优于预期的成绩单，二季营收 93 亿欧元，年增 21%，主要受惠于存量设备维运业务的贡献；公司预告三季营收 115 亿欧元（年增 53%），四季则上看 144 亿欧元（年增 48%），二季毛利率 54%、营业利益率 37%，下半年目标分别上看 55% 以上与 40% 以上。

就区域结构观察，第二季系统销售额中南韩占 43%、台湾占 30%、中国占 14%、美国占 9%，中国因出口管制导致本土芯片厂资本支出缩手，订单动能明显转向台湾逻辑芯片厂商。 管理层对新一代 AI 芯片与高数值孔径 EUV（High NA EUV）前景维持乐观，先进逻辑制程扩产效应预期将间接挹注配套内存订单，值得留意的是，近三年艾司摩尔来自内存类设备的营收占比持续攀升，规模已逐渐逼近逻辑芯片设备。 产业链高频数据同步报喜南韩半导体出口动能未见松动，7 月前十天出口额达 112 亿美元，较上月同期成长 1.3%，增速虽略为放缓但仍处历史高档，且已连续六个月维持三位数的年增率，年增幅达 193%。

台湾科技厂 6 月营收表现同样强劲，其中逻辑、晶圆代工与 ODM 厂商领涨季增排行，世界 ( 5347-TW ) 、联发科 ( 2454-TW ) 、广达 ( 2382-TW ) 分别季增 41%、22%、24%。 若看年增表现，则以内存厂商弹性最大，南亚科 ( 2408-TW ) 暴增 621%、创见 ( 2451-TW ) 大增 382%、群联 ( 8299-TW ) 成长 301% 居前，台积电则以年增 68% 表现稳健。

中国 IC 进口同样写下历史新高，6 月进口金额达 596 亿美元，年增 72%，进口数量年增仅 7%，显示单价垫高才是金额暴增的主因；细拆 5 月数据，内存芯片进口金额达 308 亿美元，占 IC 总进口比重高达 54%，年增 249%，同样刷新纪录。 中国智能型手机市场则呈现品牌分化，5 月出货量 2680 万台、年增 19%，在 DRAM 缺货背景下仍见复苏，但能否延续尚待观察。 就第二季整体来看，出货量年减 4.3%，苹果 ( AAPL-US ) 与华为分别年增 19% 至 24%，其余主流品牌则普遍年减 10% 至 22%。

市占率方面，华为由 2024 年二季的 18% 跃升至 23%，苹果紧追在后，多数中国本土品牌市占则明显下滑。 价格全景：DRAM 站上数十年高