近期市場一度擔憂，記憶體廠第三季財報恐因均價（ASP）漲幅無法達到共識而「不如預期」，不過美銀全球研究部科技產業分析團隊最新出爐的通路調查結果，打臉了這股悲觀情緒。 報告指出，第三季 DRAM 均價季增幅度可望達到 21%，明顯優於市場調查機構 TrendForce 所預估的一致水準。 美銀團隊透過最新的產業通路訪查，歸納出五項關鍵觀察，認為第三季 DRAM 價格會比市場預期漲更多。 首先，伺服器用 DRAM 的漲勢超預期。 在高速 LPDDR5 帶動下，價格季增幅度落在 20% 至 30% 之間，高於市場原先預期的「20% 以內」水準。

其次，現貨市場需求全面回溫，不只主流的 DDR5，就連已屬老舊規格的 DDR4 現貨需求同樣強勁，7 月價格持續走高。 第三，高階市場出現產品結構升級，客戶下單重心正從性價比較高的 HBM3E，轉向單價更貴的 HBM4，進一步墊高整體均價。 第四，長期合約（LTA）的議價保護效果正在減弱。 目前以長約模式銷售的 DRAM 占整體銷量比重已跌破五成，非長約比重反而攀升至 60% 到 70%；即便是受長約保障的訂單，價格也普遍出現 5% 至 10% 的季增。 第五，部分終端原廠因庫存吃緊而緊急追加訂單，此舉間接證實了標準型 DRAM 與 NAND 的季增幅度雙雙超過 20%。

美銀估值 vs. 市場共識 三季轉趨樂觀比較美銀與 TrendForce 的預測可以發現分歧所在。 DRAMTrendForce 預估，今年第三季傳統 DRAM 平均售價將較前一季上漲 13% 至 18%，若將 HBM（高頻寬記憶體）納入計算，整體 DRAM 平均售價漲幅則為 8% 至 13%。 相較之下，美銀對第三季看法更為樂觀，預估全球 DRAM 平均售價將季增 21%，高於 TrendForce 的預測；第二季則估計上漲 45% 至 50%，略低於 TrendForce，第四季則預估仍可維持高個位數百分比的季增幅。

NANDTrendForce 預估第三季平均售價將季增 10% 至 15%，第四季漲幅將放緩至 0% 至 5%；第二季價格則季增 55% 至 60%，但已較先前預測略為下修。 美銀則預估，全球 NAND 平均售價第二季約季增 65%，高於 TrendForce 的估計；第三季可望再上漲 15%，第四季則大致持平。 現貨市場：DRAM 連漲八週 價格站上歷史異常高檔DRAM 現貨價格已連續八週上揚，與二、三個月前市場普遍看衰「35 至 40 美元將是天花板」的悲觀氣氛完全反轉。

過去部分品牌廠因不堪現貨價格過高（當時採購成本約僅 5 美元）而一度減產 PC、平板與手機藉此對抗漲勢，如今態度已轉為積極回補庫存，為即將到來的 9 月及第四季銷售旺季超前部署。 不過報告也提醒，現貨交易量僅占全球供應的低個位數百分比，性質上更接近品牌廠的緊急追單，而非市場主流交易模式。 儘管如此，當前 DDR5 與 DDR4 現貨走勢，仍指向三季合約價季增約 20% 的方向。 NAND 現貨同步出現價格修復訊號，本週 1Tb 晶圓報價週增 4%，被視為三季 NAND 均價有機會挑戰突破 10% 漲幅的正面指標。

報告另外提到，日系記憶體廠二季均價表現弱於全球平均，但隨著 7 月現貨與合約價同步走揚，目前研判其三季財報不如預期仍為時過早。

主要現貨價格一覽（截至最新周度）品項：16Gb DDR5，單價（美元）：49.2，週增：+3%，季增：+28%，年增：+712%品項：16Gb DDR4，單價（美元）：80.1，週增：+3%，季增：+16%，年增：+829%品項：8Gb DDR4，單價（美元）：39.9，週增：+6%，季增：+21%，年增：+685%品項：4Gb DDR4，單價（美元）：12.9，週增：+4%，季增：+81%，年增：+426%品項：1Tb NAND 晶圓，單價（美元）：25.1，週增：+4%，季增：-3%，年增：+397%品項：512Gb NAND 晶圓，單價（美元）：19.2，週增：-1%，季增：-9%，年增：+617%AI 需求沒有降溫：台積電、ASML 法說釋利多 間接帶旺記憶體需求台積電 ( 2330-TW ) 第二季財報表現亮眼，營收達 400 億美元，年增 34%，營業利益率 60%、毛利率 68%；法人說明會上，公司釋出三季營收年增 46% 的樂觀展望，全年營收增速估達約 40% 左右，2 奈米製程量產進度順利。

資本支出方面，台積電將 2026 年全年資本開支上調至 600 億至 640 億美元，另加碼 1000 億美元投入美國廠區建設，雙雙創下歷史新高紀錄。 報告指出，台積電客戶端的 AI 晶片廠商對更先進的 HBM、SOCAMM（小外形壓縮記憶體模組）以及企業級 SSD 需求殷切，將持續為高階記憶體需求添加動能。

半導體設備龍頭艾司摩爾 ( ASML-US ) 同樣繳出優於預期的成績單，二季營收 93 億歐元，年增 21%，主要受惠於存量設備維運業務的貢獻；公司預告三季營收 115 億歐元（年增 53%），四季則上看 144 億歐元（年增 48%），二季毛利率 54%、營業利益率 37%，下半年目標分別上看 55% 以上與 40% 以上。 就區域結構觀察，第二季系統銷售額中南韓占 43%、台灣占 30%、中國占 14%、美國占 9%，中國因出口管制導致本土晶片廠資本支出縮手，訂單動能明顯轉向台灣邏輯晶片廠商。

管理層對新一代 AI 晶片與高數值孔徑 EUV（High NA EUV）前景維持樂觀，先進邏輯製程擴產效應預期將間接挹注配套記憶體訂單，值得留意的是，近三年艾司摩爾來自記憶體類設備的營收占比持續攀升，規模已逐漸逼近邏輯晶片設備。 產業鏈高頻數據同步報喜南韓半導體出口動能未見鬆動，7 月前十天出口額達 112 億美元，較上月同期成長 1.3%，增速雖略為放緩但仍處歷史高檔，且已連續六個月維持三位數的年增率，年增幅達 193%。

台灣科技廠 6 月營收表現同樣強勁，其中邏輯、晶圓代工與 ODM 廠商領漲季增排行，世界 ( 5347-TW ) 、聯發科 ( 2454-TW ) 、廣達 ( 2382-TW ) 分別季增 41%、22%、24%。 若看年增表現，則以記憶體廠商彈性最大，南亞科 ( 2408-TW ) 暴增 621%、創見 ( 2451-TW ) 大增 382%、群聯 ( 8299-TW ) 成長 301% 居前，台積電則以年增 68% 表現穩健。

中國 IC 進口同樣寫下歷史新高，6 月進口金額達 596 億美元，年增 72%，進口數量年增僅 7%，顯示單價墊高才是金額暴增的主因；細拆 5 月數據，記憶體晶片進口金額達 308 億美元，占 IC 總進口比重高達 54%，年增 249%，同樣刷新紀錄。 中國智慧型手機市場則呈現品牌分化，5 月出貨量 2680 萬台、年增 19%，在 DRAM 缺貨背景下仍見復甦，但能否延續尚待觀察。 就第二季整體來看，出貨量年減 4.3%，蘋果 ( AAPL-US ) 與華為分別年增 19% 至 24%，其餘主流品牌則普遍年減 10% 至 22%。

市占率方面，華為由 2024 年二季的 18% 躍升至 23%，蘋果緊追在後，多數中國本土品牌市占則明顯下滑。 價格全景：DRAM 站上數十年高