１．環境省は、令和８年12月11日（金）、東京ビッグサイトにて開催される半導体に関する国際展示会「SEMICON Japan 2026」において、窒化ガリウム（GaN）半導体関連技術のセミナー「次世代半導体GaNの挑戦」を開催します。

２．本セミナーでは、GaN関連技術の研究でノーベル物理学賞を受賞した天野浩特別教授による基調講演に続き、GaN関連技術の最新動向や脱炭素社会への貢献について議論します。

３．また、SEMICON Japan 2026の展示会場では、GaN半導体を搭載したEV等の環境省事業で開発されたGaN半導体関連技術の成果を展示します。

環境省では、2050年温室効果ガス排出量実質ゼロの実現に貢献するため、省CO₂性能に優れた革新的部材である窒化ガリウム（GaN）半導体を活用した先進技術の開発・実証及び社会実装を推進しています。

本セミナーでは、GaN半導体の更なる社会実装に向けて、ノーベル物理学賞受賞者の天野浩・名古屋大学特別教授による基調講演をはじめ、第一線で活躍する技術者・研究者がGaN半導体関連技術の最新動向や研究成果を紹介するとともに、今後の社会実装の展望や脱炭素社会への貢献について議論します。

１．日時：令和８年12月11日(金) 13:30～15:45

２．会場：東京ビッグサイト 国際会議場（会議棟７階）

（135-0063 東京都江東区有明３丁目11−１）

３．プログラム

13:30-13:35

開会挨拶 環境大臣政務官 石井 拓（予定）

13:35-14:05

【基調講演】

GaNパワーデバイスによる省エネルギー・ネットゼロエミッション社会実現への挑戦

名古屋大学 特別教授 天野 浩

14:05-14:10

環境省GaN事業の概要 環境省

14:10-15:00

最先端GaN半導体開発

大阪大学 教授 森 勇介

三菱ケミカル株式会社 技術グループ長 泉沢 悟

パナソニックホールディングス株式会社 GaNプロジェクトマネージャー 田村 聡之

15:00-15:45

パネルディスカッション

AI・GX時代を支えるGaN半導体 ～社会実装と脱炭素社会の展望～

https://semi.eventos.tokyo/web/portal/609/event/17111/module/booth/461171/473069

４．参加方法

本セミナーへの参加は無料です。また、本セミナーへの事前申込みは不要で、定員約500名の当日先着順となります。

なお、入場には「SEMICON Japan 2026」への来場登録が必要です。来場登録を行い、来場者バッジを発行・印刷の上、当日、直接会場にお越しください。

環境省が実施しているGaN半導体関連技術について、基盤技術からEV等への応用まで、開発の成果や社会実装に向けた取組を紹介します。

１．日時：令和８年12月９日(水)～同年12月11日(金)

２．場所：東京ビッグサイト 東展示棟７ホール ブース番号：E7988

３．主な展示内容

１）GaN on GaNパワーデバイス搭載EV（All GaN Vehicle ）

２）GaN半導体技術を活用した電源システム等

３）GaN種結晶、GaNウエハ及びGaN on GaNパワーデバイス

連絡先

環境省地球環境局地球温暖化対策課 地球温暖化対策事業室